Da Rohm quarta generazione di MOSFET SiC con la più bassa resistenza di conduzione del settore

Grazie all’avanzato design, se ne prevede un ampio utilizzo negli inverter di trazione principale dei veicoli elettrici. ROHM annuncia i MOSFET SiC di quarta generazione da 1200 V, basati su tecnologie di punta, ottimizzati per i sistemi di powertrain nel settore automotive, compreso l’inverter di trazione principale, e per gli alimentatori di apparecchiature industriali. Negli ultimi anni la proliferazione dei veicoli elettrici di prossima generazione (xEV) ha accelerato lo sviluppo di sistemi… leggi tutto