Micron presenta la prima NAND al mondo a 176 strati, una svolta in termini di prestazioni e densità delle memorie flash

La nuova NAND 3D potenzia la capacità di archiviazione su applicazioni mobili, automobilistiche, client e data center. Micron Technology ha annunciato oggi il lancio della prima memoria flash NAND 3D al mondo a 176 strati, che offre densità e prestazioni senza precedenti e all’avanguardia nel settore. Inoltre, la nuova tecnologia a 176 strati di Micron e la sua architettura avanzata rappresentano una svolta radicale, consentendo enormi guadagni nelle prestazioni delle applicazioni in una gamma di utilizzi di archiviazione che spaziano dai data center, all’intelligent edge e ai dispositivi mobili. “La…

KIOXIA espande la capacità di produzione di memorie flash 3D con un nuovo impianto presso lo stabilimento di Yokkaichi

KIOXIA Europe (ex Toshiba Memory), la sussidiaria europea di KIOXIA Corporation, ha annunciato oggi la costruzione di un impianto produttivo all’avanguardia (Fab7) presso lo stabilimento di Yokkaichi, nella Prefettura di Mie, in Giappone, per espandere la produzione della propria memoria flash 3D BiCS Flash. L’inizio dei lavori per lo stabilimento Fab7 di KIOXIA Corporation è atteso nella primavera 2021. L’innovazione tecnologica ha determinato un aumento esponenziale dell’ammontare dei dati generati, memorizzati e utilizzati in tutto il mondo. Inoltre, è attesa un’ulteriore crescita per il mercato delle memorie flash connessa ai…

Micron annuncia la produzione di massa di uMCP5 che combina nello stesso package NAND UFS e DRAM LPDDR5

Un unico package con memoria e archiviazione ad alte prestazioni e basso consumo accelerano le applicazioni 5G negli smartphone. Micron Technology annuncia l’avvio della produzione di massa della soluzione uMCP5, un prodotto multichip che combina nello stesso package NAND UFS (Universal Flash Storage) e DRAM LPDDR5 a basso consumo. La soluzione uMCP5 combina memoria e storage ad alte prestazioni, alta densità e basso consumo, in un singolo package compatto, destinato ad equipaggiare gli smartphone con carichi di lavoro ad alta intensità offrendo velocità ed efficienza energetica superiori. Il package multichip utilizza…

SK hynix acquisisce il business delle memorie NAND Intel, ad esclusione dell’attività Optane

SK hynix e Intel hanno annunciato oggi di aver firmato un accordo in base al quale SK hynix – secondo produttore mondiale di memorie con sede in Corea del Sud – acquisirà da Intel il business NAND SSD, il business dei componenti NAND e dei wafer nonché l’impianto di produzione di memorie NAND di Dalian in Cina. Intel manterrà la sua attività relativa alle memorie Optane. La transazione avverrà sulla base di 9 miliardi di dollari. Nel comunicato congiunto, SK hynix e Intel affermano che si adopereranno per ottenere le…

Renesas presenta i nuovi Data Buffer DDR5 per Server ad alte prestazioni e per Cloud Service

I nuovi Data Buffers ad alte prestazioni e bassi consumi forniscono frequenze più elevate ed una banda di trasferimento più ampia per le memorie DRAM DDR5 e per i moduli di memoria per lo storage dei dati. Renesas Electronics, uno dei principali fornitori di soluzioni avanzate basate su dispositivi a semiconduttori e leader nei prodotti per l’interfacciamento delle memorie, presenta oggi un nuovo data buffer ad alta velocità e a basso consumo per memorie DDR5 pensato per applicazioni quali i Data Center, i Server e per le workstation ad elevate…

La memoria grafica separata più veloce al mondo di Micron alimenta le rivoluzionarie velocità di gioco di NVIDIA

  GDDR6X di Micron accelera le esperienze 3D a 1 terabyte al secondo, velocità un tempo ritenute impossibili. Micron Technology ha annunciato la soluzione di memoria grafica separata più veloce al mondo, GDDR6X, la prima ad alimentare la larghezza di banda del sistema fino a un terabyte al secondo (TB/s). In collaborazione con NVIDIA, leader nella tecnologia di visual computing, Micron ha debuttato con GDDR6X nelle nuove unità di elaborazione grafica NVIDIA® GeForce RTX™ 3090 e GeForce RTX 3080 (GPU), realizzate su misura per supportare le elevate velocità richieste dalle…

Memoria e archiviazione fattori chiave per il successo delle applicazioni di IA e ML

L’esplosione generale del volume di dati ha portato ad un’enorme crescita delle applicazioni di Intelligenza Artificiale (AI) e Machine Learning (ML), in cui la memoria e l’archiviazione sono fattori chiave per il successo e la velocità delle applicazioni associate. I sistemi di memoria e archiviazione tradizionali non sono progettati per affrontare una sfida come l’accesso a questi set di dati di così grandi dimensioni quindi, un importante ostacolo da superare per le applicazioni AI e ML che stanno entrando tra le applicazioni più importanti in IT, è la riduzione del…

Micron offre SSD con prestazioni NVMe client con ottimo rapporto qualità-prezzo

  Dotati di capacità leader del settore, gli SSD utilizzano la tecnologia NAND QLC a 96 strati, per gli SSD a prezzo contenuto e applicano la capacità di 2 TB al popolare fattore di forma M.2. Micron Technology ha presentato oggi nuove unità a stato solido client (SSD) che forniscono prestazioni NVMe alle applicazioni client di elaborazione, liberando così computer portatili, workstation e altri dispositivi portatili da architetture legacy, a volte causa di un peggioramento delle prestazioni e della produttività dei dispositivi, nonché dell’aumento del consumo di batteria. Micron 2300 SSD…

La DRAM DDR5 a basso consumo di Micron migliora le prestazioni del nuovo smartphone di punta Motorola Edge+

La collaborazione è la chiave per sfruttare appieno le potenzialità del 5G nei dispositivi mobili. Micron Technology, insieme con Motorola, ha annunciato oggi l’integrazione della DRAM DDR5 (LPDDR5) a basso consumo di Micron nel nuovo smartphone Motorola Edge+, offrendo ai consumatori tutte le potenzialità del 5G. Micron e Motorola hanno lavorato in stretta collaborazione per consentire all’Edge+ di raggiungere le velocità della rete 5G che richiedono la massima potenza di elaborazione combinata ad un’ampia larghezza di banda di memoria e archiviazione. Con i 12 gigabyte (GB) dell’innovativa memoria DRAM LPDDR5…

SMART Modular amplia la gamma di soluzioni DDR4 ad elevate prestazioni e densità

  Il nuovo Module-In-A-Package™ (MIP™), con una più elevata densità, è una soluzione ideale per aumentare la capacità di memoria delle applicazioni IIoT e di Embedded Computing.  SMART Modular Technologies ha annunciato il suo Module-in-a-Package (MIP) DDR4 con la più elevata densità. Il nuovo package estende la gamma di densità MIP attualmente offerta fino a 16 GB. MIP di SMART è uno schema progettuale innovativo, con un minuscolo fattore di forma, destinato ad usi in IIoT, embedded computing, broadcasting video e router mobili, dove la massimizzazione della capacità DRAM entro…