Come scegliere i dispositivi GaN o SiC per la commutazione ad alta tensione

a cura di Udo Blaga – Senior Technology Application Engineer Power, Avnet Silica. Ogni ingegnere vorrebbe potere disporre di uno switch perfetto in grado di commutare istantaneamente tra gli stati On e Off e che sia immune da perdite. Per avere minori perdite possibili quando si passa da uno stato all’altro, è necessario che lo switch abbia una serie di caratteristiche. Deve avere una tensione di breakdown infinita, non consentire alcun flusso di corrente quando è interdetto, non presentare una differenza di tensione quando è polarizzato e non impiegare tempo…

Il libro AspenCore focalizza il ruolo fondamentale del GaN nella nuova era della potenza

Il Silicio sta raggiungendo i suoi limiti teorici di prestazioni per l’elettronica. Nel frattempo l’industria si sta spostando verso materiali a banda larga, come il Nitruro di Gallio. Perché WBG e perché GaN in particolare? Il nuovo libro di AspenCore Media, la “Guida AspenCore al Nitruro di Gallio: una nuova era per l’elettronica di potenza“, risponde a questa e altre domande. I dispositivi semiconduttori di potenza WBG in carburo di silicio e tecnologia GaN offrono vantaggi di progettazione che consentono prestazioni applicative precedentemente inimmaginabili: bassa corrente di dispersione, perdite di…

I nuovi MOSFET CoolSiC per inverter industriali di Infineon rendono possibile il raffreddamento passivo

Con l’introduzione del nuovo MOSFET CoolSiC con tecnologia di interconnessione .XT, Infineon Technologies supporta l’industria della robotica e dell’automazione nell’implementazione di inverter per motori senza manutenzione e senza l’impiego di ventole per il raffreddamento. Il nuovo MOSFET è disponibile in un package ottimizzato SMD D 2PAK-7 e presenta una tensione massima di 1200V. La riduzione delle perdite fino all’80% rispetto a una soluzione basata sul silicio consente un raffreddamento di tipo passivo, senza circolazione d’aria forzata. I dispositivi consentono un’elevata efficienza in varie potenze nominali per soluzioni di servoazionamenti, mentre…

Cree si focalizza su SiC e GaN e vende l’unità di LED Business a SMART Global Holding per 300 milioni

Cree ha annunciato la vendita della sua attività legata ai LED allo stato solido a SMART Global Holdings, una società californiana che si occupa prevalentemente di storage. Il corrispettivo della vendita è di 300 milioni di dollari di cui 50 già versati. Prosegue così la missione del CEO di Cree Gregg Lowe di spostare il focus della società sui dispositivi al carburo di silicio e nitruro di gallio, nonché su nuovi, innovativi, materiali, rafforzando l’attività di Wolfspeed (una costola di Cree), leader nella produzione di dispositivi di potenza SiC ed…

Toshiba lancia un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V

Il dispositivo offre perdite significativamente ridotte, aumentando in questo modo l’efficienza della soluzione di alimentazione. Toshiba Electronics ha lanciato un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V per applicazioni industriali ad alta potenza, che includono gli alimentatori AC-DC con ingresso da 400 V, gli inverter fotovoltaici (PV) e i convertitori DC-DC bidirezionali i per gruppi di continuità (UPS). Il nuovo MOSFET di potenza TW070J120B si basa sul SiC, un nuovo materiale a banda larga che consente ai dispositivi di offrire resistenza alle alte tensioni, commutazione ad alta velocità…

Caricabatterie e alimentatori più piccoli e veloci con il primo dispositivo che integra tecnologia Si e GaN

Da STMicroelectronics la prima soluzione al mondo che integra driver Si e transistor di potenza GaN in un unico package. Consente di realizzare sistemi più piccoli dell’80% e del 70% più leggeri, con tempi di ricarica inferiori di 3 volte. Ma soprattutto consente di semplificare la progettazione. STMicroelectronics presenta MasterGaN®, la prima piattaforma al mondo che incorpora un driver a mezzo ponte basato sulla tecnologia di silicio insieme a una coppia di transistor di potenza al nitruro di gallio. La combinazione accelererà la creazione di caricabatterie e adattatori di alimentazione…

NXP inaugura in Arizona una nuova fabbrica per la lavorazione del nitruro di gallio (GaN)

L’impianto ad elevati volumi produttivi per GaN è il più avanzato negli Stati Uniti per sistemi RF. NXP Semiconductors ha annunciato l’inaugurazione della sua fabbrica di wafer da 150 mm (6 pollici) di nitruro di gallio (GaN) per la produzione di amplificatori di potenza RF per il 5G. La nuova fabbrica, che si trova a Chandler, in Arizona, combina l’esperienza di NXP come leader nel settore RF di potenza con il suo know-how di produzione ad elevati volumi, a supporto dell’espansione delle stazioni base 5G e dell’infrastruttura di comunicazione avanzata…

Vitesco Technologies e ROHM collaborano su soluzioni di potenza al carburo di silicio

Vitesco Technologies, l’area di business Powertrain di Continental e fornitore leader nel campo dell’elettrificazione dei veicoli, e ROHM Semiconductor, una delle principali aziende operanti nel settore dei semiconduttori di potenza SiC, hanno recentemente siglato una partnership di sviluppo che partirà nel giugno 2020. Vitesco Technologies farà uso di componenti SiC per incrementare ulteriormente l’efficienza della sua elettronica di potenza destinata ai veicoli elettrici. Grazie alla loro maggiore efficienza i semiconduttori SiC utilizzano meglio l’energia elettrica accumulata nella batteria di un veicolo. Pertanto un veicolo elettrico gode di un’autonomia maggiore, oppure…

Così il carburo di silicio “cubico” rivoluzionerà l’elettronica di potenza

Trasporto elettronico calcolato su base quantistica in strutture ideali e con difetti.    La crescita di substrati di alta qualità per applicazioni microelettroniche è uno degli elementi chiave che possono guidare la società verso un’economia verde più sostenibile. Oggi, il silicio svolge un ruolo centrale nell’industria dei semiconduttori per i dispositivi microelettronici e nano elettronici: wafer di silicio di materiale monocristallino di elevata purezza (99,0% o superiore) possono essere ottenuti mediante una combinazione di metodi di crescita a partire dalla fase liquida e una successiva epitassia. Per l’assenza di una…

Il più potente inverter di stringa da 1500 V DC al mondo utilizza prodotti Infineon

Il modulo Infineon e la tecnologia chip alimentano la soluzione fotovoltaica da 250 kW di Sungrow. Presentata per la prima volta a Intersolar Europe 2019, Sungrow offre l’inverter a stringa FV SG250HX che presenta una capacità di 250 kW. A bordo: moduli di alimentazione EasyPACK 3B personalizzati di Infineon Technologies ​​dotati delle più recenti tecnologie di chip TRENCHSTOP e CoolSiC. Supportando una tensione elevata di 1500 V DC e 800 V AC, l’inverter di stringa Sungrow SG250HX offre un’efficienza massima del 99%. “Sungrow è impegnata a spianare la strada alla…