Vitesco Technologies e ROHM collaborano su soluzioni di potenza al carburo di silicio

Vitesco Technologies, l’area di business Powertrain di Continental e fornitore leader nel campo dell’elettrificazione dei veicoli, e ROHM Semiconductor, una delle principali aziende operanti nel settore dei semiconduttori di potenza SiC, hanno recentemente siglato una partnership di sviluppo che partirà nel giugno 2020. Vitesco Technologies farà uso di componenti SiC per incrementare ulteriormente l’efficienza della sua elettronica di potenza destinata ai veicoli elettrici. Grazie alla loro… leggi tutto

Così il carburo di silicio “cubico” rivoluzionerà l’elettronica di potenza

Trasporto elettronico calcolato su base quantistica in strutture ideali e con difetti.    La crescita di substrati di alta qualità per applicazioni microelettroniche è uno degli elementi chiave che possono guidare la società verso un’economia verde più sostenibile. Oggi, il silicio svolge un ruolo centrale nell’industria dei semiconduttori per i dispositivi microelettronici e nano elettronici: wafer di silicio di materiale monocristallino di elevata purezza (99,0% o superiore) possono… leggi tutto

Il più potente inverter di stringa da 1500 V DC al mondo utilizza prodotti Infineon

Il modulo Infineon e la tecnologia chip alimentano la soluzione fotovoltaica da 250 kW di Sungrow. Presentata per la prima volta a Intersolar Europe 2019, Sungrow offre l’inverter a stringa FV SG250HX che presenta una capacità di 250 kW. A bordo: moduli di alimentazione EasyPACK 3B personalizzati di Infineon Technologies ​​dotati delle più recenti tecnologie di chip TRENCHSTOP e CoolSiC. Supportando una tensione elevata di 1500 V DC e 800 V AC, l’inverter di stringa Sungrow SG250HX offre… leggi tutto

Lo stadio di potenza GaN LMG341xR050 di TI è ora disponibile presso Mouser

Mouser Electronics sta distribuendo lo stadio di potenza al nitruro di gallio (GaN) LMG341xR050 della Texas Instruments (TI). Con un gate driver integrato e robuste funzioni di protezione, il dispositivo da 600 V, 50 milliohm consente ai progettisti di raggiungere nuovi livelli di efficienza nei loro sistemi di conversione di potenza, inclusi alimentatori industriali e di consumo ad alta densità, caricabatterie ad alta tensione, inverter solari e convertitori multi-livello. Lo stadio di potenza… leggi tutto

I nuovi MOSFET a 650 V di Cree offrono l’efficienza leader del settore

La tecnologia Wolfspeed sfrutta le prestazioni superiori del carburo di silicio per la prossima generazione di veicoli elettrici, data center e innovazioni solari. Cree, leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, ha annunciato l’espansione del suo portafoglio di prodotti con il rilascio dei MOSFET al carburo di silicio 650s Wolfspeed, in grado di abilitare la prossima generazione di veicoli elettrici (EV) per la ricarica, data center e altri sistemi rinnovabili con efficienza… leggi tutto

Infineon aggiunge i package D²PAK a 2 pin alla sua famiglia di diodi Schottky CoolSiC

Infineon Technologies espande il suo portafoglio di diodi CoolSiC  Schottky da 1200 V aggiungendo sei dispositivi in ​​un package D²PAK a 2 pin. Utilizzando i package SMD, i progetti possono essere più compatti e più economici. Inoltre, il nuovo contenitore D²PAK a 2 pin reale elimina il perno centrale per offrire una dispersione di 4,7 mm e una distanza di gioco di 4,4 mm. Rispetto ad un package D²PAK standard, ciò evidentemente migliora i margini di sicurezza. I diodi si adattano… leggi tutto

Microchip espande la famiglia di prodotti di potenza al carburo di silicio (SiC).

Lo scopo è quello di fornire miglioramenti a livello di sistema in termini di efficienza, dimensioni e affidabilità. I moduli di potenza basati su SBD 700, 1200 e 1700V massimizzano l’efficienza di commutazione, consentendo una drastica riduzione delle dimensioni. Continua a crescere la domanda di dispositivi di potenza al carburo di silicio (SiC) per massimizzare l’efficienza e ridurre dimensioni e peso, consentendo agli ingegneri di creare soluzioni di alimentazione innovative. Le applicazioni… leggi tutto

ON Semiconductor presenta i nuovi MOSFET SiC da 900 V e 1200 V per applicazioni critiche

  I nuovi dispositivi MOSFET SiC consentiranno prestazioni migliori, maggiore efficienza e capacità di operare in condizioni difficili. ON Semiconductor ha ampliato la propria gamma di dispositivi wide bandgap (WBG) con l’introduzione di due nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Destinati all’uso in una varietà di applicazioni critiche ad alta domanda tra cui inverter per impianti di energia solare, ricarica di bordo per veicoli elettrici (EV), gruppi di continuità (UPS),… leggi tutto

Infineon investe 1,6 miliardi di Euro in una fabbrica di semiconduttori di potenza in Austria

A pochi chilometri dal confine italiano e sloveno, nelle vicinanze della cittadina austriaca di Villach, in Carinzia, sono iniziati i lavori di uno dei più grandi insediamenti tecnologici europei: la nuova fabbrica completamente automatizzata di Infineon Technologies per la produzione di semiconduttori di potenza a partire da wafer del diametro di 300 mm. Il più costoso investimento privato in Austria di sempre: 1,6 miliardi di euro, un sito all’avanguardia tecnologica che darà lavoro… leggi tutto