ON Semiconductor presenta i nuovi MOSFET SiC da 900 V e 1200 V per applicazioni critiche

  I nuovi dispositivi MOSFET SiC consentiranno prestazioni migliori, maggiore efficienza e capacità di operare in condizioni difficili. ON Semiconductor ha ampliato la propria gamma di dispositivi wide bandgap (WBG) con l’introduzione di due nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Destinati all’uso in una varietà di applicazioni critiche ad alta domanda tra cui inverter per impianti di energia solare, ricarica di bordo per veicoli elettrici (EV), gruppi di continuità (UPS),… leggi tutto

Infineon investe 1,6 miliardi di Euro in una fabbrica di semiconduttori di potenza in Austria

A pochi chilometri dal confine italiano e sloveno, nelle vicinanze della cittadina austriaca di Villach, in Carinzia, sono iniziati i lavori di uno dei più grandi insediamenti tecnologici europei: la nuova fabbrica completamente automatizzata di Infineon Technologies per la produzione di semiconduttori di potenza a partire da wafer del diametro di 300 mm. Il più costoso investimento privato in Austria di sempre: 1,6 miliardi di euro, un sito all’avanguardia tecnologica che darà lavoro… leggi tutto