ON Semiconductor presenta soluzioni integrate per azionamenti industriali ad APEC 2021

ON Semiconductor®, azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha annunciato l’introduzione di nuovi moduli CI (Converter-Inverter) con correzione del fattore di potenza (PFC – Power Factor Correction) per azionamenti industriali, servoazionamenti e sistemi HVAC dove vengono utilizzati per pilotare motori in applicazioni dove è previsto l’impiego e ventole e pompe. I nuovi NXH50M65L4C2SG e NXH50M65L4C2ESG sono moduli di potenza integrati realizzati utilizzando la tecnica di stampaggio per trasferimento (TMPIM – Transfer−Molded Power Integrated Module) basati rispettivamente su substrati in ossido di alluminio (AI2O3) e con…

ON Semiconductor annuncia nuovi moduli MOSFET in carburo di silicio per la ricarica di veicoli elettrici ad APEC 2021

ON Semiconductor ha annunciato una coppia di moduli MOSFET SiC (Silicon Carbide) da 1200 V in configurazione 2-PACK ampliando ulteriormente la propria offerta di prodotti destinati al mercato dei veicoli elettrici (EV). Nel momento in cui aumentano le vendite di veicoli elettrici, è necessario mettere a punto le infrastrutture necessarie per soddisfare le aspettative dei guidatori, realizzando una rete di stazioni di ricarica veloce che consenta loro di completare i viaggi rapidamente e tranquillamente senza “ansia da rifornimento”. In questo settore i requisiti evolvono rapidamente e livelli di potenza superiori a…

Gli innegabili vantaggi della tecnologia SiC rispetto alla tecnologia Si

Di Milan Ivkovic è Segment Director per EBV Elektronik, una divisione Avnet La tecnologia al carburo di silicio (SiC) ha raggiunto un punto di svolta dove gli innegabili vantaggi la spingono verso una rapida adozione. Oggi, i progettisti che cercano di rimanere competitivi e di ridurre i costi di sistema nel lungo termine si rivolgono alle tecnologie SiC per molte ragioni, tra le quali: Riduzione del costo dell’applicazione: I progetti basati su SiC, pur richiedendo un certo investimento iniziale, offrono una riduzione dei costi di sistema grazie alla maggiore efficienza…

Come scegliere i dispositivi GaN o SiC per la commutazione ad alta tensione

a cura di Udo Blaga – Senior Technology Application Engineer Power, Avnet Silica. Ogni ingegnere vorrebbe potere disporre di uno switch perfetto in grado di commutare istantaneamente tra gli stati On e Off e che sia immune da perdite. Per avere minori perdite possibili quando si passa da uno stato all’altro, è necessario che lo switch abbia una serie di caratteristiche. Deve avere una tensione di breakdown infinita, non consentire alcun flusso di corrente quando è interdetto, non presentare una differenza di tensione quando è polarizzato e non impiegare tempo…

Il libro AspenCore focalizza il ruolo fondamentale del GaN nella nuova era della potenza

Il Silicio sta raggiungendo i suoi limiti teorici di prestazioni per l’elettronica. Nel frattempo l’industria si sta spostando verso materiali a banda larga, come il Nitruro di Gallio. Perché WBG e perché GaN in particolare? Il nuovo libro di AspenCore Media, la “Guida AspenCore al Nitruro di Gallio: una nuova era per l’elettronica di potenza“, risponde a questa e altre domande. I dispositivi semiconduttori di potenza WBG in carburo di silicio e tecnologia GaN offrono vantaggi di progettazione che consentono prestazioni applicative precedentemente inimmaginabili: bassa corrente di dispersione, perdite di…

I nuovi MOSFET CoolSiC per inverter industriali di Infineon rendono possibile il raffreddamento passivo

Con l’introduzione del nuovo MOSFET CoolSiC con tecnologia di interconnessione .XT, Infineon Technologies supporta l’industria della robotica e dell’automazione nell’implementazione di inverter per motori senza manutenzione e senza l’impiego di ventole per il raffreddamento. Il nuovo MOSFET è disponibile in un package ottimizzato SMD D 2PAK-7 e presenta una tensione massima di 1200V. La riduzione delle perdite fino all’80% rispetto a una soluzione basata sul silicio consente un raffreddamento di tipo passivo, senza circolazione d’aria forzata. I dispositivi consentono un’elevata efficienza in varie potenze nominali per soluzioni di servoazionamenti, mentre…

Cree si focalizza su SiC e GaN e vende l’unità di LED Business a SMART Global Holding per 300 milioni

Cree ha annunciato la vendita della sua attività legata ai LED allo stato solido a SMART Global Holdings, una società californiana che si occupa prevalentemente di storage. Il corrispettivo della vendita è di 300 milioni di dollari di cui 50 già versati. Prosegue così la missione del CEO di Cree Gregg Lowe di spostare il focus della società sui dispositivi al carburo di silicio e nitruro di gallio, nonché su nuovi, innovativi, materiali, rafforzando l’attività di Wolfspeed (una costola di Cree), leader nella produzione di dispositivi di potenza SiC ed…

Toshiba lancia un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V

Il dispositivo offre perdite significativamente ridotte, aumentando in questo modo l’efficienza della soluzione di alimentazione. Toshiba Electronics ha lanciato un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V per applicazioni industriali ad alta potenza, che includono gli alimentatori AC-DC con ingresso da 400 V, gli inverter fotovoltaici (PV) e i convertitori DC-DC bidirezionali i per gruppi di continuità (UPS). Il nuovo MOSFET di potenza TW070J120B si basa sul SiC, un nuovo materiale a banda larga che consente ai dispositivi di offrire resistenza alle alte tensioni, commutazione ad alta velocità…

Caricabatterie e alimentatori più piccoli e veloci con il primo dispositivo che integra tecnologia Si e GaN

Da STMicroelectronics la prima soluzione al mondo che integra driver Si e transistor di potenza GaN in un unico package. Consente di realizzare sistemi più piccoli dell’80% e del 70% più leggeri, con tempi di ricarica inferiori di 3 volte. Ma soprattutto consente di semplificare la progettazione. STMicroelectronics presenta MasterGaN®, la prima piattaforma al mondo che incorpora un driver a mezzo ponte basato sulla tecnologia di silicio insieme a una coppia di transistor di potenza al nitruro di gallio. La combinazione accelererà la creazione di caricabatterie e adattatori di alimentazione…

NXP inaugura in Arizona una nuova fabbrica per la lavorazione del nitruro di gallio (GaN)

L’impianto ad elevati volumi produttivi per GaN è il più avanzato negli Stati Uniti per sistemi RF. NXP Semiconductors ha annunciato l’inaugurazione della sua fabbrica di wafer da 150 mm (6 pollici) di nitruro di gallio (GaN) per la produzione di amplificatori di potenza RF per il 5G. La nuova fabbrica, che si trova a Chandler, in Arizona, combina l’esperienza di NXP come leader nel settore RF di potenza con il suo know-how di produzione ad elevati volumi, a supporto dell’espansione delle stazioni base 5G e dell’infrastruttura di comunicazione avanzata…