I moduli MOSFET al SiC di Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha sfruttato le proprie competenze tecnologiche nei processi a semiconduttori a banda larga (WBC) per introdurre un modulo MOSFET compatto ma efficiente. Il nuovo MG800FXF2YMS3 incorpora dispositivi MOSFET da 3300V a doppio canale al carburo di silicio (SiC) in grado di supportare correnti da 800A. Le principali applicazioni di questi moduli ad alta densità di potenza includono gli azionamenti industriali, le apparecchiature per il controllo dei motori, gli inverter di potenza per i siti di generazione di energia rinnovabile, e i convertitori/inverter necessari per l’infrastruttura elettrica in ambito ferroviario.

Fondamentale per gli ottimi parametri di prestazione dei nuovi moduli MOSFET SiC di Toshiba è la tecnologia di packaging proprietaria dell’azienda. Gli alloggiamenti iXPLV (intelligent flexible package low voltage) impiegati in questi moduli si basano su un’avanzata tecnologia di connessione interna con sinterizzazione d’argento, che consente di ottenere alti livelli di efficienza in condizioni operative. È possibile supportare temperature di canale fino a 175°C, ed è inoltre garantito l’isolamento fino a 6000VRMS. Le perdite di commutazione all’accensione e allo spegnimento sono mantenute rispettivamente a 250mJ e 240mJ, con valori tipici di induttanza parassita previsti di appena 12 nH.

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