I nuovi MOSFET CoolSiC per inverter industriali di Infineon rendono possibile il raffreddamento passivo

Con l’introduzione del nuovo MOSFET CoolSiC con tecnologia di interconnessione .XT, Infineon Technologies supporta l’industria della robotica e dell’automazione nell’implementazione di inverter per motori senza manutenzione e senza l’impiego di ventole per il raffreddamento. Il nuovo MOSFET è disponibile in un package ottimizzato SMD D 2PAK-7 e presenta una tensione massima di 1200V. La riduzione delle perdite fino all’80% rispetto a una soluzione basata sul silicio consente un raffreddamento di tipo passivo, senza circolazione d’aria forzata. I dispositivi consentono un’elevata efficienza in varie potenze nominali per soluzioni di servoazionamenti, mentre il package compatto in SMD può abilitare altre innovative applicazioni, dalle infrastrutture di ricarica compatte agli alimentatori industriali.

Le soluzioni di automazione senza ventole di raffreddamento aprono nuove opportunità legate al risparmio sulle attività di manutenzione e sull’impiego dei materiali”, ha affermato Peter Wawer, presidente della divisione Industrial Power and Control di Infineon. “Combinando le caratteristiche della tecnologia CoolSiC trench MOSFET con quelle della interconnessione .XT, miglioriamo le capacità termiche e cicliche in un fattore di forma ridotto. Ciò consente anche un’integrazione compatta dell’azionamento all’interno del motore o di in un braccio robotico.”

Un servoazionamento rappresenta il sistema di controllo del motore nelle apparecchiature industriali. Le perdite di conduzione ohmica e i transitori di commutazione completamente controllabili dei MOSFET SiC si adattano perfettamente al profilo di carico di tali motori. A parità di livello EMC, questi dispositivi consentono una riduzione delle perdite di sistema fino all’80% rispetto alle soluzioni IGBT, con dv/dt compreso tra 5 e 8 V/ns. I nuovi dispositivi CoolSiC MOSFET SMD hanno un resistenza alle rotture da corto circuito di 3 µs. Tutto cioò soddisfa ampiamente i requisiti dei servoazionamenti  dove vengono utilizzati induttori relativamente piccoli e cavi corti.

Il nuovo portafoglio comprende dispositivi con resistenza in conduzione compresa tra 30 mΩ fino a 350 mΩ. La tecnologia .XT consente una dissipazione del 30% superiore rispetto ai package standard grazie al particolare accoppiamento chip-contenitore. Il portafoglio CoolSiC .XT garantisce ottime prestazioni termiche e cicliche, con maggiore corrente di uscita, fino al 14% in più, frequenza di commutazione doppia e temperature di esercizio inferiori da 10 a 15 gradi Kelvin rispetto alla tecnologia standard.

Disponibilità

I MOSFET CoolSiC da 1200 V in package D 2PAK-7 sono già disponibili. Infineon prevede di estendere il portafoglio di dispositivi in package SMD anche alle versioni a 650 V, con più di 18 nuovi prodotti (con RDC(on) da 25 a 200 mΩ) i cui campioni saranno disponibili nel 2021.

 

 

 

Post correlati

Commenta questo articolo