Micron perfeziona la prima NAND a 176 strati del settore e la DRAM 1-Alpha

Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) ha presentato oggi alcune novità che riguardano la sua gamma di soluzioni di memoria e archiviazione basate sulla sua tecnologia leader di settore NAND a 176 strati e DRAM 1α (1-alpha), oltre che la prima soluzione di archiviazione flash universale 3.1 per le applicazioni automobilistiche. L’ampliamento della gamma è in linea con la visione dell’azienda di accelerare le informazioni basate sui dati attraverso innovazioni a livello di memoria e di archiviazione che consentono nuove funzionalità, dal data center all’intelligent edge. Il presidente e CEO di Micron, Sanjay Mehrotra, ha annunciato le novità durante un keynote al Computex, in cui ha condiviso la sua ampia visione dell’innovazione informatica e il ruolo centrale giocato da memoria e archiviazione nel consentire alle imprese di cogliere il pieno potenziale dell’economia dei dati.

Micron ha annunciato l’avvio della produzione di massa della prima SSD PCIe® di quarta generazione, realizzata con la prima NAND al mondo a 176 strati. Questo mese l’azienda renderà disponibile sul mercato anche la prima DRAM di tipo LPDDR4X con nodo 1α. La tecnologia LPDDR4x costituisce la specifica JEDEC più recente per DRAM di quarta generazione a basso consumo con tensione di ingresso e uscita elevata per consumi notevolmente ridotti, rendendola la soluzione ideale per i dispositivi di elaborazione portatili. Insieme, queste soluzioni confermano la posizione di leadership nella tecnologia DRAM e NAND conquistata quest’anno da Micron.

“Con la diffusione a livello mainstream di intelligenza artificiale e 5G, nello scenario post-pandemico si sta delineando un notevole potenziale per il settore dati”, ha affermato Mehrotra. “Questa trasformazione rappresenta un’opportunità per accelerare l’innovazione e rispondere alle esigenze dei clienti. Oggi presentiamo nuove soluzioni di memoria e archiviazione in grado di accelerare l’innovazione, da potenti server di data center e dispositivi client veloci, ai veicoli intelligenti in prossimità dell’edge”.

La gamma di soluzioni SSD PCle di quarta generazione di Micron è pensata per le applicazioni client più esigenti

Le recenti SSD dell’azienda, Micron 3400 e 2450, offrono alte prestazioni e flessibilità di progettazione insieme a un consumo energetico ridotto, per consentire un uso prolungato, dalle workstation professionali ai notebook ultrasottili. L’SSD Micron 3400 fornisce il doppio della velocità di lettura e fino all’85% in più di velocità di scrittura,[1] consentendo di utilizzare applicazioni esigenti come il rendering 3D in tempo reale, la progettazione assistita dal computer, i giochi e l’animazione. Per i clienti che cercano il miglior valore con prestazioni PCIe Gen4, l’SSD Micron 2450 offre un’esperienza utente altamente reattiva, ideale per l’uso quotidiano. L’SSD 2450 è disponibile in tre fattori di forma, piccoli come l’M.2 da 22 x 30 mm, per offrire un’elevata flessibilità di progettazione.

“AMD è stata la prima ad adottare il processore desktop PCIe 4.0 e il supporto chipset. Man mano che cresce l’ecosistema delle piattaforme supportate da AMD, siamo lieti di vedere partner come Micron espandere la loro gamma di SSD Gen4”, ha dichiarato Chris Kilburn, vice presidente e direttore generale dell’unità di business Client Component di AMD. “Collaborando con aziende leader nel campo della memoria e dell’archiviazione come Micron, ci impegniamo a offrire nuovi livelli di prestazioni ed efficienza al mercato dei PC”.

Grazie all’ottimizzazione dell’efficienza energetica, Micron 3400 e 2450 sono presenti all’interno della lista dei componenti della piattaforma Intel® Modern Standby Partner Portal e soddisfano i requisiti dei test open lab SSD di Intel Project Athena®. Inoltre, entrambe le SSD di Micron sono state approvate all’interno della policy Power Speed PCIe di AMD e Modern Standby di Microsoft Windows.

Micron rende disponibile il primo LPDDR4x e DDR4 con nodo 1α al mondo

Questo mese Micron rende disponibile il LPDDR4x con nodo 1α, poco dopo la presentazione dei primi prodotti DRAM con nodo 1α avvenuta nel gennaio 2021. L’azienda ha anche eseguito la convalida della DDR4 con nodo 1α sulle principali piattaforme di data center, compresa la terza generazione di processori AMD della famiglia EPYC. Entrambi sono prodotti in serie negli impianti all’avanguardia di fabbricazione DRAM di Micron a Taiwan, tra cui il nuovo impianto A3 di Taichung.

La rapida immissione sul mercato della memoria Micron con 1α fornisce una tecnologia avanzata per favorire l’innovazione, dai carichi di lavoro incentrati sui dati delle piattaforme server ai sottili notebook dei consumatori. La tecnologia 1α consente miglioramenti dell’efficienza energetica per la memoria, creando dei benefici in termini di mobilità per i notebook, consentendo cioè una maggiore durata della batteria per gli ambienti di lavoro, di studio o domestici. Con l’incremento del lavoro e della didattica a distanza, Micron ha lavorato insieme ai principali fornitori di sistemi di tutto il mondo per soddisfare la crescente domanda per i PC. L’impegno di Micron comprende una solida collaborazione con Acer, il principale produttore di Taiwan, riguardante l’integrazione nei sistemi Acer di LPDDR4x e DDR4 con 1α.

“In Acer, la nostra missione è sempre stata quella di abbattere le barriere tra le persone e la tecnologia”, ha dichiarato Jason Chen, presidente e CEO di Acer. “Stiamo lavorando strettamente con Micron per introdurre la più avanzata DRAM con nodo 1α nei sistemi Acer e fornire PC ad alte prestazioni e a basso consumo per permettere a più persone di connettersi, in tutto il mondo”.

Il nodo 1α fornisce anche un miglioramento del 40% nella densità di memoria e fino al 20% di risparmio energetico per l’utilizzo mobile rispetto al precedente LPDDR4x con nodo 1z. Si tratta del risparmio energetico ideale per i telefoni cellulari che devono preservare la durata della batteria, particolarmente vantaggioso nei casi di utilizzo intensivo di memoria, come durante l’acquisizione di foto e video.

Micron offre un’archiviazione migliorata, progettata per sistemi automobilistici ad alta intensità di dati

Portando l’innovazione all’intelligent edge, Micron ha annunciato che sta effettuando un campionamento delle densità a 128 GB e 256 GB della NAND a 96 strati come parte della nuova gamma di prodotti NAND con memoria UFS 3.1 destinati ad applicazioni automobilistiche. Con l’evolversi dei sistemi di infotainment, che includono ora schermi ad alta risoluzione e funzionalità di interfaccia uomo-macchina basate sull’intelligenza artificiale (IA), l’offerta UFS 3.1 di Micron risponde alle esigenze del mercato offrendo un’archiviazione a elevata velocità di trasmissione e a bassa latenza.

Micron UFS 3.1 è caratterizzata da prestazioni di lettura due volte più veloci rispetto a UFS 2.1, consentendo tempi di avvio rapidi e riducendo al minimo la latenza per l’infotainment a bordo dei veicoli ad alta intensità di dati e per i sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS). UFS 3.1 fornisce anche prestazioni prolungate di scrittura più rapide del 50%, per tenere il passo con le crescenti esigenze di archiviazione locale in tempo reale dei dati di sensori e videocamere per i sistemi ADAS di livello 3+ e per applicazioni black box.[2]

La società di ricerche di mercato e di consulenza strategica Yole Développement (Yole) prevede che il mercato NAND nel settore automobilistico arriverà ai 3,6 miliardi di dollari nel 2025, quasi il quadruplo rispetto al 2020, in cui il valore era di 0,9 miliardi di dollari.[3] I veicoli si basano sempre di più sui software e questi nuovi centri di dati richiedono capacità di archiviazione ad alte prestazioni per rendere prontamente disponibili grandi volumi di informazioni destinate a un’elaborazione quasi istantanea. I veicoli abilitati ADAS ora contengono più di 100 milioni di righe di codice che devono essere memorizzate e lette rapidamente per garantire esperienze utente più rapide e processi decisionali veloci sull’edge.

“Il nuovo motore dell’auto moderna utilizza il calcolo centralizzato ad alte prestazioni per dirigere una IA ricca di dati, la visione artificiale e le capacità di elaborazione multisensore, con conseguente necessità di soluzioni di memoria e archiviazione avanzate”, ha dichiarato Vasanth Waran, senior director of product management di Qualcomm Technologies, Inc. “La gamma UFS 3.1 di Micron è progettata in modo unico per soddisfare i rigorosi requisiti in materia di affidabilità e prestazioni degli ambienti automobilistici, permettendo ai produttori di fare il salto di qualità per quanto riguarda i cockpit digitali personalizzati, adattivi e sensibili al contesto. Siamo entusiasti di lavorare con Micron Technology per ottimizzare le sue innovative soluzioni di archiviazione e memoria per l’uso sulle nostre piattaforme automobilistiche”.

Micron accelera l’adozione sul mercato di DDR5 con il Programma di attivazione della tecnologia

Micron ha raggiunto un importante traguardo con il lancio del Programma di attivazione della tecnologia (TEP) per DDR5, avvenuto nel 2020, finalizzato ad accelerare l’adozione sul mercato delle DRAM più recenti e preparare l’ecosistema per una vasta introduzione di piattaforme abilitate DDR5, prevista nel corso del prossimo anno. Il programma ha coinvolto più di 250 leader tecnici e di design provenienti da oltre 100 società leader di settore, tra cui specialisti di sistemi e silicio, partner di canale, fornitori di servizi cloud e produttori.

[1] Rispetto alla precedente SSD di Micron, Micron 2300

[2] Rispetto alla precedente UFS 2.1

[3] Fonte: NAND Market Monitor Q1 2021 – Yole Développement

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