I progetti AC/DC con transistor al Nitruro di Gallio (GaN) traggono beneficio dalla tecnologia iCoupler

Di Robbins Ren, Field Applications Engineer Un elevato livello di efficienza negli alimentatori ac/dc è un fattore fondamentale per l’evoluzione delle infrastrutture telecom e datacom, a causa del rapido incremento dei consumi energetici dovuto al diffondersi di data center su vasta scala, server aziendali o centrali di commutazione. Tuttavia, l’industria dell’elettronica di potenza ha raggiunto i limiti teorici dei MOSFET al silicio. Nel frattempo sono comparsi sul mercato i più recenti transistor… leggi tutto

Lo stadio di potenza GaN LMG341xR050 di TI è ora disponibile presso Mouser

Mouser Electronics sta distribuendo lo stadio di potenza al nitruro di gallio (GaN) LMG341xR050 della Texas Instruments (TI). Con un gate driver integrato e robuste funzioni di protezione, il dispositivo da 600 V, 50 milliohm consente ai progettisti di raggiungere nuovi livelli di efficienza nei loro sistemi di conversione di potenza, inclusi alimentatori industriali e di consumo ad alta densità, caricabatterie ad alta tensione, inverter solari e convertitori multi-livello. Lo stadio di potenza… leggi tutto

STMicroelectronics e TSMC collaborano per accelerare l’adozione di prodotti a base di nitruro di gallio

STMicroelectronics e TSMC stanno collaborando per accelerare lo sviluppo di tecnologie di processo per il nitruro di gallio (GaN) e la fornitura al mercato di dispositivi GaN discreti e integrati. Grazie a questa collaborazione, i prodotti innovativi e strategici di ST basati sul GaN saranno fabbricati utilizzando la tecnologia di processo GaN all’avanguardia di TSMC. Il nitruro di gallio è un materiale semiconduttore a bandgap ampio che offre vantaggi significativi rispetto ai semiconduttori… leggi tutto

Arrow organizza un seminario, con esposizione, sulle tecnologie SiC e GaN

Alla scoperta, insieme ad Arrow, delle proposte dei maggiori produttori di tecnologie SiC e GaN che rivoluzioneranno tutto il mondo dell’elettronica, dall’Industria all’Automotive. SiC è una tecnologia già presente da anni nei Diodi negli Alimentatori (PFC) e nei sistemi fotovoltaici (PV)/ Inverter ma il processo di migrazione tecnologica con la sostituzione dei classici Transitor e Mosfet – soprattutto nel range di tensione 1200V – cambierà il modo di gestire la potenza nei progetti… leggi tutto

Manca una settimana a PCIM Europe

PCIM Europe è il più importante evento europeo dedicato all’elettronica di potenza e alle sue applicazioni, al power management, al motion control e all’energy management che si tiene presso il centro fieristico di Norimberga. In un’area espositiva di oltre 23.500 metri quadrati, oltre 500 espositori provenienti da 28 paesi differenti proporranno le ultime novità nei settori merceologici. L’edizione 2019 punta a superare i risultati lusinghieri dello scorso anno contando di attirare a… leggi tutto

GaN FET resistenti alle radiazioni in package plastico per applicazioni spaziali “Smallsat”

I dispositivi resistenti alla radiazioni ISL71043M e ISL71040M forniscono una soluzione ottimizzata nel costo e nelle dimensioni per la realizzazione di stadi di alimentazione da utilizzare all’interno di satelliti “smallsat” impiegati nelle mega-costellazioni in orbita bassa. Renesas Electronics, uno dei principali fornitori di soluzioni avanzate basate su dispositivi a semiconduttori, annuncia i primi controllori PWM e driver per FET GaN resistenti alle radiazioni in package plastico pensati… leggi tutto

Amplificatore GaN in banda ultra-larga a controllo digitale per le stazioni base per telefonia mobile

Si prevede che contribuirà alle comunicazioni a elevata capacità e a ridurre il consumo energetico delle stazioni base per telefonia mobile. Mitsubishi Electric Corporation ha annunciato oggi di aver sviluppato un amplificatore basato su nitruro di gallio (GaN) in banda ultra-larga a controllo digitale per la prima volta nel mondo1; l’amplificatore è compatibile con una gamma leader a livello mondiale di bande inferiori a 6 GHz, in particolare per i sistemi per le comunicazioni mobili di quinta… leggi tutto

Il GaN rompe le barriere: largo agli amplificatori di potenza RF

L’aumento delle bande di trasmissione nelle telecomunicazioni e della precisione nei controlli industriali sta spingendo verso l’alto la frequenza operativa dei sistemi a Radiofrequenza. Molti di questi sistemi funzionano su uno spettro di frequenze piuttosto ampio e le richieste di ulteriori aumenti della larghezza di banda sono piuttosto comuni nei nuovi progetti. Su molti di questi sistemi si spinge per l’utilizzo di un’unica piattaforma di condizionamento del segnale su tutte le bande di… leggi tutto

Ora Arrow distribuisce anche i prodotti RF e Power in tecnologia SiC e GaN di Wolfspeed

Arrow Electronics ha annunciato l’ampliamento dell’accordo di distribuzione con la divisione Wolfspeed di Cree. Il nuovo accordo posiziona Arrow Electronics come il più grande distributore globale per i prodotti al carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN) di cui Wolfspeed è leader di mercato. “Siamo lieti di ampliare e potenziare il nostro franchising includendo le soluzioni di potenza e RF di Wolfspeed”, ha affermato David West, vice president of global marketing and engineering… leggi tutto

Nuova gamma LMG341x di stadi di potenza GaN da 600 V per applicazioni fino a 10 kW

Con alle spalle oltre 20 milioni di ore di test, il dispositivo FET GaN ad alta tensione con driver e protezione integrata raddoppia la densità di potenza nelle applicazioni industriali e per telecomunicazioni. Texas Instruments (TI) ha annunciato oggi una nuova gamma di stadi di potenza al nitruro di gallio (GaN) da 600 V, RDS ON di 50 mΩ e 70 mΩ, con supporto per applicazioni fino a 10 kW. La gamma LMG341x consente ai progettisti di creare dispositivi più piccoli, più efficienti e dalle… leggi tutto