I primi FET GaN di potenza per applicazioni automotive con driver, protezione e gestione attiva dell’alimentazione

  Offrono la massima efficienza e consentono di incrementare la densità di potenza nei caricabatterie di bordo delle vetture e negli alimentatori industriali. Texas Instruments ha ampliato la sua gamma di prodotti per la gestione dell’alimentazione ad alta tensione con una innovativa serie  di transistor ad effetto di campo al nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 600 V per applicazioni automotive e industriali. Con un gate driver integrato a 2,2 MHz a commutazione rapida, i nuovi dispositivi FET a tecnologia GaN permettono ai progettisti di fornire il doppio…

Cree si focalizza su SiC e GaN e vende l’unità di LED Business a SMART Global Holding per 300 milioni

Cree ha annunciato la vendita della sua attività legata ai LED allo stato solido a SMART Global Holdings, una società californiana che si occupa prevalentemente di storage. Il corrispettivo della vendita è di 300 milioni di dollari di cui 50 già versati. Prosegue così la missione del CEO di Cree Gregg Lowe di spostare il focus della società sui dispositivi al carburo di silicio e nitruro di gallio, nonché su nuovi, innovativi, materiali, rafforzando l’attività di Wolfspeed (una costola di Cree), leader nella produzione di dispositivi di potenza SiC ed…

Caricabatterie e alimentatori più piccoli e veloci con il primo dispositivo che integra tecnologia Si e GaN

Da STMicroelectronics la prima soluzione al mondo che integra driver Si e transistor di potenza GaN in un unico package. Consente di realizzare sistemi più piccoli dell’80% e del 70% più leggeri, con tempi di ricarica inferiori di 3 volte. Ma soprattutto consente di semplificare la progettazione. STMicroelectronics presenta MasterGaN®, la prima piattaforma al mondo che incorpora un driver a mezzo ponte basato sulla tecnologia di silicio insieme a una coppia di transistor di potenza al nitruro di gallio. La combinazione accelererà la creazione di caricabatterie e adattatori di alimentazione…

NXP inaugura in Arizona una nuova fabbrica per la lavorazione del nitruro di gallio (GaN)

L’impianto ad elevati volumi produttivi per GaN è il più avanzato negli Stati Uniti per sistemi RF. NXP Semiconductors ha annunciato l’inaugurazione della sua fabbrica di wafer da 150 mm (6 pollici) di nitruro di gallio (GaN) per la produzione di amplificatori di potenza RF per il 5G. La nuova fabbrica, che si trova a Chandler, in Arizona, combina l’esperienza di NXP come leader nel settore RF di potenza con il suo know-how di produzione ad elevati volumi, a supporto dell’espansione delle stazioni base 5G e dell’infrastruttura di comunicazione avanzata…

I progetti AC/DC con transistor al Nitruro di Gallio (GaN) traggono beneficio dalla tecnologia iCoupler

Di Robbins Ren, Field Applications Engineer Un elevato livello di efficienza negli alimentatori ac/dc è un fattore fondamentale per l’evoluzione delle infrastrutture telecom e datacom, a causa del rapido incremento dei consumi energetici dovuto al diffondersi di data center su vasta scala, server aziendali o centrali di commutazione. Tuttavia, l’industria dell’elettronica di potenza ha raggiunto i limiti teorici dei MOSFET al silicio. Nel frattempo sono comparsi sul mercato i più recenti transistor al Nitruro di Gallio (GaN), utilizzati come switch ad alte prestazioni, in grado di sostituire i MOSFET al…

Lo stadio di potenza GaN LMG341xR050 di TI è ora disponibile presso Mouser

Mouser Electronics sta distribuendo lo stadio di potenza al nitruro di gallio (GaN) LMG341xR050 della Texas Instruments (TI). Con un gate driver integrato e robuste funzioni di protezione, il dispositivo da 600 V, 50 milliohm consente ai progettisti di raggiungere nuovi livelli di efficienza nei loro sistemi di conversione di potenza, inclusi alimentatori industriali e di consumo ad alta densità, caricabatterie ad alta tensione, inverter solari e convertitori multi-livello. Lo stadio di potenza GaN TI LMG341xR050, disponibile presso Mouser Electronics, offre molteplici vantaggi rispetto ai MOSFET al silicio, tra cui…

STMicroelectronics e TSMC collaborano per accelerare l’adozione di prodotti a base di nitruro di gallio

STMicroelectronics e TSMC stanno collaborando per accelerare lo sviluppo di tecnologie di processo per il nitruro di gallio (GaN) e la fornitura al mercato di dispositivi GaN discreti e integrati. Grazie a questa collaborazione, i prodotti innovativi e strategici di ST basati sul GaN saranno fabbricati utilizzando la tecnologia di processo GaN all’avanguardia di TSMC. Il nitruro di gallio è un materiale semiconduttore a bandgap ampio che offre vantaggi significativi rispetto ai semiconduttori tradizionali basati sul silicio per le applicazioni di potenza. Tra questi figurano la maggiore efficienza energetica a…

Arrow organizza un seminario, con esposizione, sulle tecnologie SiC e GaN

Alla scoperta, insieme ad Arrow, delle proposte dei maggiori produttori di tecnologie SiC e GaN che rivoluzioneranno tutto il mondo dell’elettronica, dall’Industria all’Automotive. SiC è una tecnologia già presente da anni nei Diodi negli Alimentatori (PFC) e nei sistemi fotovoltaici (PV)/ Inverter ma il processo di migrazione tecnologica con la sostituzione dei classici Transitor e Mosfet – soprattutto nel range di tensione 1200V – cambierà il modo di gestire la potenza nei progetti elettronici. GaN offre, invece, un reale guadagno di velocità – soprattutto nella media tensione dove sono presenti…

Manca una settimana a PCIM Europe

PCIM Europe è il più importante evento europeo dedicato all’elettronica di potenza e alle sue applicazioni, al power management, al motion control e all’energy management che si tiene presso il centro fieristico di Norimberga. In un’area espositiva di oltre 23.500 metri quadrati, oltre 500 espositori provenienti da 28 paesi differenti proporranno le ultime novità nei settori merceologici. L’edizione 2019 punta a superare i risultati lusinghieri dello scorso anno contando di attirare a Norimberga più degli oltre 11.600 visitatori che nel 2018 hanno visitato i padiglioni e seguito i numerosi eventi…

GaN FET resistenti alle radiazioni in package plastico per applicazioni spaziali “Smallsat”

I dispositivi resistenti alla radiazioni ISL71043M e ISL71040M forniscono una soluzione ottimizzata nel costo e nelle dimensioni per la realizzazione di stadi di alimentazione da utilizzare all’interno di satelliti “smallsat” impiegati nelle mega-costellazioni in orbita bassa. Renesas Electronics, uno dei principali fornitori di soluzioni avanzate basate su dispositivi a semiconduttori, annuncia i primi controllori PWM e driver per FET GaN resistenti alle radiazioni in package plastico pensati per realizzare i convertitori DC/DC presenti nei satelliti miniaturizzati (smallsat) ed i velivoli di lancio. Il dispositivo  ISL71043M è un controllore PWM con…