La tecnologia dei moduli trasformatori integrati di TI aiuta a massimizzare l’autonomia di guida nei veicoli ibridi ed elettrici

Texas Instruments (TI) ha presentato il modulo di alimentazione a polarizzazione in CC/CC isolato da 1,5 W più piccolo e preciso del settore. L’UCC14240-Q1 utilizza una tecnologia di trasformazione integrata e proprietaria per consentire ai progettisti di dimezzare le dimensioni delle soluzioni di alimentazione per l’utilizzo in ambienti ad alta tensione come nei veicoli elettrici (EV), ibridi, nei sistemi di azionamento motore e negli inverter collegati alla rete. Con la sempre più veloce crescita del mercato dei veicoli elettrici, i progettisti automotive sono alla ricerca di nuovi modi per migliorare…

ON Semiconductor annuncia soluzioni innovative per alimentatori offline ad altissima densità

ON Semiconductor®, azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha ampliato la propria offerta di soluzioni per alimentatori offline ad altissima densità con l’aggiunta di un nuovo controllore per PFC totem pole operante in modalità CrM (conduzione critica). Nei tradizionali circuiti PFC, i diodi del ponte rettificatore presente in un alimentatore da 240 W consumano all’incirca 4 W, un valore che rappresenta circa il 20% delle perdite totali. Gli stadi PFC, invece, sono caratterizzati da livelli di efficienza del 97% (valore tipico) e il circuito LLC…

Gli innegabili vantaggi della tecnologia SiC rispetto alla tecnologia Si

Di Milan Ivkovic è Segment Director per EBV Elektronik, una divisione Avnet La tecnologia al carburo di silicio (SiC) ha raggiunto un punto di svolta dove gli innegabili vantaggi la spingono verso una rapida adozione. Oggi, i progettisti che cercano di rimanere competitivi e di ridurre i costi di sistema nel lungo termine si rivolgono alle tecnologie SiC per molte ragioni, tra le quali: Riduzione del costo dell’applicazione: I progetti basati su SiC, pur richiedendo un certo investimento iniziale, offrono una riduzione dei costi di sistema grazie alla maggiore efficienza…

ROHM, con 8V di gate withstand voltage, segna una svolta nel campo dei dispositivi GaN HEMT da 150 V

Si risolve il problema della tensione di scarica disruptiva di gate nei dispositivi GaN, contribuendo così alla riduzione dei consumi energetici e alla maggiore miniaturizzazione degli alimentatori destinati a base station e centri di elaborazione dati. ROHM ha sviluppato una tecnologia che consente di raggiungere la tensione di scarica disruptiva di gate più alta del settore (8 V, tensione nominale gate-source) nei dispositivi GaN HEMT da 150 V, ottimizzata per i circuiti degli alimentatori delle apparecchiature industriali e delle comunicazioni. Negli ultimi anni la maggiore diffusione di dispositivi IoT ha…

Come scegliere i dispositivi GaN o SiC per la commutazione ad alta tensione

a cura di Udo Blaga – Senior Technology Application Engineer Power, Avnet Silica. Ogni ingegnere vorrebbe potere disporre di uno switch perfetto in grado di commutare istantaneamente tra gli stati On e Off e che sia immune da perdite. Per avere minori perdite possibili quando si passa da uno stato all’altro, è necessario che lo switch abbia una serie di caratteristiche. Deve avere una tensione di breakdown infinita, non consentire alcun flusso di corrente quando è interdetto, non presentare una differenza di tensione quando è polarizzato e non impiegare tempo…

Il libro AspenCore focalizza il ruolo fondamentale del GaN nella nuova era della potenza

Il Silicio sta raggiungendo i suoi limiti teorici di prestazioni per l’elettronica. Nel frattempo l’industria si sta spostando verso materiali a banda larga, come il Nitruro di Gallio. Perché WBG e perché GaN in particolare? Il nuovo libro di AspenCore Media, la “Guida AspenCore al Nitruro di Gallio: una nuova era per l’elettronica di potenza“, risponde a questa e altre domande. I dispositivi semiconduttori di potenza WBG in carburo di silicio e tecnologia GaN offrono vantaggi di progettazione che consentono prestazioni applicative precedentemente inimmaginabili: bassa corrente di dispersione, perdite di…

I primi FET GaN di potenza per applicazioni automotive con driver, protezione e gestione attiva dell’alimentazione

  Offrono la massima efficienza e consentono di incrementare la densità di potenza nei caricabatterie di bordo delle vetture e negli alimentatori industriali. Texas Instruments ha ampliato la sua gamma di prodotti per la gestione dell’alimentazione ad alta tensione con una innovativa serie  di transistor ad effetto di campo al nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 600 V per applicazioni automotive e industriali. Con un gate driver integrato a 2,2 MHz a commutazione rapida, i nuovi dispositivi FET a tecnologia GaN permettono ai progettisti di fornire il doppio…

Cree si focalizza su SiC e GaN e vende l’unità di LED Business a SMART Global Holding per 300 milioni

Cree ha annunciato la vendita della sua attività legata ai LED allo stato solido a SMART Global Holdings, una società californiana che si occupa prevalentemente di storage. Il corrispettivo della vendita è di 300 milioni di dollari di cui 50 già versati. Prosegue così la missione del CEO di Cree Gregg Lowe di spostare il focus della società sui dispositivi al carburo di silicio e nitruro di gallio, nonché su nuovi, innovativi, materiali, rafforzando l’attività di Wolfspeed (una costola di Cree), leader nella produzione di dispositivi di potenza SiC ed…

Caricabatterie e alimentatori più piccoli e veloci con il primo dispositivo che integra tecnologia Si e GaN

Da STMicroelectronics la prima soluzione al mondo che integra driver Si e transistor di potenza GaN in un unico package. Consente di realizzare sistemi più piccoli dell’80% e del 70% più leggeri, con tempi di ricarica inferiori di 3 volte. Ma soprattutto consente di semplificare la progettazione. STMicroelectronics presenta MasterGaN®, la prima piattaforma al mondo che incorpora un driver a mezzo ponte basato sulla tecnologia di silicio insieme a una coppia di transistor di potenza al nitruro di gallio. La combinazione accelererà la creazione di caricabatterie e adattatori di alimentazione…

NXP inaugura in Arizona una nuova fabbrica per la lavorazione del nitruro di gallio (GaN)

L’impianto ad elevati volumi produttivi per GaN è il più avanzato negli Stati Uniti per sistemi RF. NXP Semiconductors ha annunciato l’inaugurazione della sua fabbrica di wafer da 150 mm (6 pollici) di nitruro di gallio (GaN) per la produzione di amplificatori di potenza RF per il 5G. La nuova fabbrica, che si trova a Chandler, in Arizona, combina l’esperienza di NXP come leader nel settore RF di potenza con il suo know-how di produzione ad elevati volumi, a supporto dell’espansione delle stazioni base 5G e dell’infrastruttura di comunicazione avanzata…