La tecnologia dei moduli trasformatori integrati di TI aiuta a massimizzare l’autonomia di guida nei veicoli ibridi ed elettrici

Texas Instruments (TI) ha presentato il modulo di alimentazione a polarizzazione in CC/CC isolato da 1,5 W più piccolo e preciso del settore. L’UCC14240-Q1 utilizza una tecnologia di trasformazione integrata e proprietaria per consentire ai progettisti di dimezzare le dimensioni delle soluzioni di alimentazione per l’utilizzo in ambienti ad alta tensione come nei veicoli elettrici (EV), ibridi, nei sistemi di azionamento motore e negli inverter collegati alla rete. Con la sempre più veloce crescita del mercato dei veicoli elettrici, i progettisti automotive sono alla ricerca di nuovi modi per migliorare…

ON Semiconductor presenta soluzioni integrate per azionamenti industriali ad APEC 2021

ON Semiconductor®, azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha annunciato l’introduzione di nuovi moduli CI (Converter-Inverter) con correzione del fattore di potenza (PFC – Power Factor Correction) per azionamenti industriali, servoazionamenti e sistemi HVAC dove vengono utilizzati per pilotare motori in applicazioni dove è previsto l’impiego e ventole e pompe. I nuovi NXH50M65L4C2SG e NXH50M65L4C2ESG sono moduli di potenza integrati realizzati utilizzando la tecnica di stampaggio per trasferimento (TMPIM – Transfer−Molded Power Integrated Module) basati rispettivamente su substrati in ossido di alluminio (AI2O3) e con…

Gli innegabili vantaggi della tecnologia SiC rispetto alla tecnologia Si

Di Milan Ivkovic è Segment Director per EBV Elektronik, una divisione Avnet La tecnologia al carburo di silicio (SiC) ha raggiunto un punto di svolta dove gli innegabili vantaggi la spingono verso una rapida adozione. Oggi, i progettisti che cercano di rimanere competitivi e di ridurre i costi di sistema nel lungo termine si rivolgono alle tecnologie SiC per molte ragioni, tra le quali: Riduzione del costo dell’applicazione: I progetti basati su SiC, pur richiedendo un certo investimento iniziale, offrono una riduzione dei costi di sistema grazie alla maggiore efficienza…

Renesas espande il portafoglio dei Fotoaccoppiatori per applicazioni di automazione industriale e inverter solari

Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723), uno dei principali fornitori di soluzioni avanzate basate su dispositivi a semiconduttori, oggi amplia la sua famiglia di fotoaccoppiatori con distanza di creepage di 8,2 mm con tre nuovi dispositivi progettati per il funzionamento in apparecchiature di automazione industriale, inverter solari e caricabatterie EV. Grazie ad un package LSSO5 con dimensioni di appena 2,5 mm x 2,1 mm, questi driver isolati per IGBT e per moduli IPM risultano essere i più piccoli al mondo e riducono le aree occupate sul PCB fino al 35% rispetto ad…

Come scegliere i dispositivi GaN o SiC per la commutazione ad alta tensione

a cura di Udo Blaga – Senior Technology Application Engineer Power, Avnet Silica. Ogni ingegnere vorrebbe potere disporre di uno switch perfetto in grado di commutare istantaneamente tra gli stati On e Off e che sia immune da perdite. Per avere minori perdite possibili quando si passa da uno stato all’altro, è necessario che lo switch abbia una serie di caratteristiche. Deve avere una tensione di breakdown infinita, non consentire alcun flusso di corrente quando è interdetto, non presentare una differenza di tensione quando è polarizzato e non impiegare tempo…

ST e Sanken annunciano una partnership per lo sviluppo di moduli di alimentazione intelligenti ad alta tensione

Campioni IPM per applicazioni industriali saranno disponibili dal marzo 2021 mentre  per quelli auto-grade per applicazioni automobilistiche bisognerà attendere l’estate 2021. STMicroelectronics e Sanken Electric Co. annunciano una partnership nel settore dei moduli di alimentazione intelligenti (IPM) per progetti di apparecchiature ad alta tensione e alta potenza. Le due società stanno sviluppando e commercializzeranno congiuntamente moduli industriali da 650 V/50 A e 1200 V/10 A, che semplificano le sfide di progettazione e riducono la distinta base per i sistemi HVAC, i servoazionamenti industriali, le lavatrici industriali e gli inverter generici…

Gate driver isolati: quali, come e perché?

MOSFET e IGBT di potenza sono dispo­sitivi controllati in tensione, utilizzati come elementi di commutazione in cir­cuiti di alimentazione e controllo motori, nonché in diversi altri sistemi. Il gate è il terminale di controllo elettricamente isolato di ciascun dispositivo. Gli altri terminali di un MOSFET sono source e drain, mentre per un IGBT vengono definiti collettori (collector) ed emettitori (emitter). Per far funzionare un MOSFET o un IGBT si deve di solito applicare una tensione al gate relativa ai terminali source o emitter del dispositivo. Per applica­re la tensione e…

Toshiba lancia un driver PWM ad onda sinusoidale da 600V per motori trifase senza spazzole

Il nuovo driver TB67B000AHG altamente integrato offre una maggiore protezione contro le fluttuazioni di tensione. Toshiba Electronics Europe ha annunciato il lancio di un nuovo azionamento per motori trifase senza spazzole per elettrodomestici quali condizionatori e purificatori d’aria. Il nuovo driver TB67B000AHG è inoltre adatto per l’utilizzo in un’ampia gamma di applicazioni industriali. Questo dispositivo ad alta tensione estende ed amplia la serie esistente di driver TB67B000, ed offre un azionamento dei motori ad alta efficienza energetica con emissione ridotta di rumore in un unico package integrato. La domanda di…

ROHM offre una linea di IGBT da 1200 V destinati al settore automotive

La bassa perdita di conduzione ai vertici della categoria contribuisce ad un’elevata efficienza e alla miniaturizzazione delle applicazioni. ROHM (www.rohm.com/eu) ha recentemente annunciato l’aggiunta di quattro nuovi IGBT da 1200 V destinati al settore automotive, che sono l’ideale per gli inverter usati nei compressori per l’elettronica e per i circuiti di commutazione impiegati in resistori a coefficiente di temperatura positivo (PTC). La nuova Serie RGS rappresenta l’ampia linea di IGBT ROHM conformi allo standard AEC-Q101, in entrambe le varianti da 1200 V e da 650 V. Questa serie è caratterizzata…

IGBT ibrido basato su SiC e circuiti per il pilotaggio

ON Semiconductor (www.onsemi.com) presenta un nuovo IGBT ibrido basato su carburo di silicio (SiC) e gli associati circuiti per il pilotaggio del gate dell’IGBT ad alta corrente. Il modello AFGHL50T65SQDC è formato da un IGBT realizzato con la più recente tecnologia Field-Stop e da un diodo Schottky realizzato in carburo di silicio (SiC) per garantire basse perdite di conduzione e di commutazione in numerose applicazioni di potenza, comprese quelle caratterizzate da ridotte perdite durante la fase di recupero inverso, come ad esempio i circuiti PFC (Poter Factor Correction) di tipo…