I primi FET GaN di potenza per applicazioni automotive con driver, protezione e gestione attiva dell’alimentazione

  Offrono la massima efficienza e consentono di incrementare la densità di potenza nei caricabatterie di bordo delle vetture e negli alimentatori industriali. Texas Instruments ha ampliato la sua gamma di prodotti per la gestione dell’alimentazione ad alta tensione con una innovativa serie  di transistor ad effetto di campo al nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 600 V per applicazioni automotive e industriali. Con un gate driver integrato a 2,2 MHz a commutazione rapida, i nuovi dispositivi FET a tecnologia GaN permettono ai progettisti di fornire il doppio…