Micron perfeziona la prima NAND a 176 strati del settore e la DRAM 1-Alpha

Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) ha presentato oggi alcune novità che riguardano la sua gamma di soluzioni di memoria e archiviazione basate sulla sua tecnologia leader di settore NAND a 176 strati e DRAM 1α (1-alpha), oltre che la prima soluzione di archiviazione flash universale 3.1 per le applicazioni automobilistiche. L’ampliamento della gamma è in linea con la visione dell’azienda di accelerare le informazioni basate sui dati attraverso innovazioni a livello di memoria e di archiviazione che consentono nuove funzionalità, dal data center all’intelligent edge. Il presidente e CEO di…

Micron lancia una memoria a basso consumo qualificata per applicazioni di sicurezza automobilistiche

Micron Technology, Inc. ha annunciato di aver iniziato a campionare la prima memoria DDR5 DRAM (LPDDR5) automobilistica a basso consumo del settore, valutata dall’hardware, per soddisfare il rigoroso livello di integrità della sicurezza automobilistica (ASIL), ASIL D. La soluzione fa parte del nuovo portafoglio Micron di prodotti di memoria e archiviazione mirati alla sicurezza funzionale automobilistica in base allo standard 26262 dell’Organizzazione internazionale per la standardizzazione (ISO). La DRAM valutata in base alla sicurezza funzionale di Micron è compatibile con le tecnologie avanzate del sistema di assistenza alla guida (ADAS),…

Micron presenta la prima tecnologia 1-alpha DRAM del settore

Micron Technology ha annunciato i prodotti DRAM a nodo 1α (1-alpha), creati usando la tecnologia di processo DRAM più avanzata al mondo e offrendo importanti miglioramenti in densità dei bit, potenza e prestazioni. Questa pietra miliare va a potenziare la forza competitiva di Micron e si aggiunge alle sue recenti innovazioni: la memoria grafica più veloce al mondo e la NAND a 176 livelli. “Questo traguardo con nodo 1α conferma l’eccellenza di Micron nel campo della DRAM ed è un risultato diretto dell’impegno assoluto di Micron nella tecnologia e nel…

Micron presenta la prima NAND al mondo a 176 strati, una svolta in termini di prestazioni e densità delle memorie flash

La nuova NAND 3D potenzia la capacità di archiviazione su applicazioni mobili, automobilistiche, client e data center. Micron Technology ha annunciato oggi il lancio della prima memoria flash NAND 3D al mondo a 176 strati, che offre densità e prestazioni senza precedenti e all’avanguardia nel settore. Inoltre, la nuova tecnologia a 176 strati di Micron e la sua architettura avanzata rappresentano una svolta radicale, consentendo enormi guadagni nelle prestazioni delle applicazioni in una gamma di utilizzi di archiviazione che spaziano dai data center, all’intelligent edge e ai dispositivi mobili. “La…

Micron annuncia la produzione di massa di uMCP5 che combina nello stesso package NAND UFS e DRAM LPDDR5

Un unico package con memoria e archiviazione ad alte prestazioni e basso consumo accelerano le applicazioni 5G negli smartphone. Micron Technology annuncia l’avvio della produzione di massa della soluzione uMCP5, un prodotto multichip che combina nello stesso package NAND UFS (Universal Flash Storage) e DRAM LPDDR5 a basso consumo. La soluzione uMCP5 combina memoria e storage ad alte prestazioni, alta densità e basso consumo, in un singolo package compatto, destinato ad equipaggiare gli smartphone con carichi di lavoro ad alta intensità offrendo velocità ed efficienza energetica superiori. Il package multichip utilizza…

La memoria grafica separata più veloce al mondo di Micron alimenta le rivoluzionarie velocità di gioco di NVIDIA

  GDDR6X di Micron accelera le esperienze 3D a 1 terabyte al secondo, velocità un tempo ritenute impossibili. Micron Technology ha annunciato la soluzione di memoria grafica separata più veloce al mondo, GDDR6X, la prima ad alimentare la larghezza di banda del sistema fino a un terabyte al secondo (TB/s). In collaborazione con NVIDIA, leader nella tecnologia di visual computing, Micron ha debuttato con GDDR6X nelle nuove unità di elaborazione grafica NVIDIA® GeForce RTX™ 3090 e GeForce RTX 3080 (GPU), realizzate su misura per supportare le elevate velocità richieste dalle…

La DRAM DDR5 a basso consumo di Micron migliora le prestazioni del nuovo smartphone di punta Motorola Edge+

La collaborazione è la chiave per sfruttare appieno le potenzialità del 5G nei dispositivi mobili. Micron Technology, insieme con Motorola, ha annunciato oggi l’integrazione della DRAM DDR5 (LPDDR5) a basso consumo di Micron nel nuovo smartphone Motorola Edge+, offrendo ai consumatori tutte le potenzialità del 5G. Micron e Motorola hanno lavorato in stretta collaborazione per consentire all’Edge+ di raggiungere le velocità della rete 5G che richiedono la massima potenza di elaborazione combinata ad un’ampia larghezza di banda di memoria e archiviazione. Con i 12 gigabyte (GB) dell’innovativa memoria DRAM LPDDR5…

Micron presenta il primo campione di uMCP basato su LPDDR5

Il multichip package combina DRAM a basso consumo e NAND con controller integrato per utilizzare il 40% in meno dello spazio sulla scheda e per aumentare le prestazioni e la durata della batteria degli smartphone 5G. Micron Technology ha annunciato la disponibilità dei primi campioni di multichip package UFS (uMCP) con DRAM DDR5 (LPDDR5) a basso consumo. L’uMCP offre uno spazio di archiviazione ad alta densità e basso consumo progettato per adattarsi agli smartphone di fascia media con un formato sottile e compatto. Il nuovo package uMCP5 di Micron è…