I moduli MOSFET al SiC di Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha sfruttato le proprie competenze tecnologiche nei processi a semiconduttori a banda larga (WBC) per introdurre un modulo MOSFET compatto ma efficiente. Il nuovo MG800FXF2YMS3 incorpora dispositivi MOSFET da 3300V a doppio canale al carburo di silicio (SiC) in grado di supportare correnti da 800A. Le principali applicazioni di questi moduli ad alta densità di potenza includono gli azionamenti industriali, le apparecchiature per il controllo dei motori, gli inverter di potenza per i siti di generazione di energia rinnovabile, e i convertitori/inverter necessari per l’infrastruttura…

Toshiba annuncia cinque MOSFET di potenza a supergiunzione

Toshiba Electronics Europe GmbH ha annunciato cinque MOSFET di potenza a supergiunzione da 650 V alloggiati nel nuovo package SMD compatto in formato TO-leadless (TOLL). Misurando appena 9,9 mm x 11,68 mm x 2,3 mm (LxPxA), i dispositivi TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z e TK190U65Z presentano un ingombro inferiore del 27% rispetto al package D2PAK convenzionale. Le applicazioni tipiche includono gli alimentatori per server nei data center, i convertitori di potenza fotovoltaici (FV), i gruppi di continuità (UPS) e altre applicazioni industriali. La gamma è stata ampliata con i prodotti della…

Come scegliere i dispositivi GaN o SiC per la commutazione ad alta tensione

a cura di Udo Blaga – Senior Technology Application Engineer Power, Avnet Silica. Ogni ingegnere vorrebbe potere disporre di uno switch perfetto in grado di commutare istantaneamente tra gli stati On e Off e che sia immune da perdite. Per avere minori perdite possibili quando si passa da uno stato all’altro, è necessario che lo switch abbia una serie di caratteristiche. Deve avere una tensione di breakdown infinita, non consentire alcun flusso di corrente quando è interdetto, non presentare una differenza di tensione quando è polarizzato e non impiegare tempo…

ON Semiconductor annuncia nuovi MOSFET da 650V in carburo di silicio

Le migliori caratteristiche di commutazione e la maggiore affidabilità garantiscono un incremento della densità di potenza in una molteplicità di applicazioni complesse ON Semiconductor ha annunciato una nuova gamma di MOSFET in carburo di silicio (SiC) da utilizzare in applicazioni particolarmente complesse dove densità di potenza, efficienza e affidabilità rivestono un ruolo chiave. Utilizzando i nuovi dispositivi SiC al posto dei tradizionali componenti in silicio nelle applicazioni di commutazione, i progettisti possono ottenere prestazioni nettamente migliori in applicazioni quali veicoli elettrici (EV), caricatori OBC (On Board Charger), inverter fotovoltaici, unità di…

Toshiba presenta il fotorelè ad alta corrente ottimizzato per applicazioni industriali

Toshiba Electronics Europe GmbH ha annunciato una nuova aggiunta al proprio portafoglio in continua espansione di dispositivi optoelettronici. Il TLP241B è un fotorelè ad alta corrente, destinato all’uso nei componenti industriali, come i controllori logici programmabili (PLC) e le interfacce I/O, nonché nei sistemi di automazione degli edifici come le unità HVAC (riscaldamento, ventilazione e condizionamento dell’aria). Incorporando uno MOSFET U-MOS ultra-avanzato di Toshiba, il TLP241B stabilisce nuovi parametri di riferimento per le prestazioni. È il primo dispositivo fotorelè sul mercato ad avere una tensione del terminale di uscita in…

I nuovi MOSFET a canale P di 5a generazione garantiscono la resistenza di ON più bassa della categoria

ROHM lancia una linea di 24 modelli di MOSFET a canale P caratterizzati tenuta di tensione di -40 V/-60 V e disponibili sia in configurazione singola che duale. Questi MOSFET sono ideali per applicazioni industriali e consumer come l’automazione industriale, la robotica e gli impianti di condizionamento dell’aria. (Fig. 1) Negli ultimi anni, dal momento che la domanda di efficienza e di densità di potenza maggiore implica l’adozione di tensioni di ingresso più elevate nelle applicazioni industriali e consumer, ai MOSFET si richiede non solo di garantire una bassa resistenza…

Circuiti automotive dalle dimensioni ridotte con i MOSFET ultracompatti da 1 mmq 

  Migliorano la dissipazione termica e l’affidabilità di montaggio. ROHM ha presentato i MOSFET ultracompatti modello RV8C010UN, RV8L002SN e BSS84X, qualificati AEC-Q101, dalle dimensioni di 1 mm² ai vertici della categoria, che offrono un’affidabilità perfetta per il settore automotive. AEC è l’acronimo di Automotive Electronics Council, un’organizzazione che ha la responsabilità di fissare gli standard di affidabilità per l’elettronica automotive. Lo standard Q101 è specificamente destinato a prodotti a semiconduttori discreti. I prodotti sono idonei ad applicazioni ad alta densità quali i sistemi ADAS e le unità di controllo elettronico.…

I dispositivi MOSFET compatti e a bassa resistenza di Toshiba migliorano il funzionamento del pacco batterie

I componenti sono destinati all’uso nei pacchi batterie agli ioni di litio dei prodotti hardware consumer. Toshiba Electronics Europe ha ulteriormente ampliato il proprio portafoglio completo di MOSFET a canale N a basso consumo con l’introduzione dei dispositivi SSM6N951L. Sfruttando l’esperienza avanzata dell’azienda nei processi dei semiconduttori di potenza e la proprietà intellettuale all’avanguardia, questo dispositivo a drain comune da 12 V presenta numerosi parametri di prestazioni operative ai vertici nel settore. L’SSM6N951L è destinato nello specifico ad essere incluso nel circuito di protezione delle batterie incorporato nei pacchi batterie…

Da Rohm quarta generazione di MOSFET SiC con la più bassa resistenza di conduzione del settore

Grazie all’avanzato design, se ne prevede un ampio utilizzo negli inverter di trazione principale dei veicoli elettrici. ROHM annuncia i MOSFET SiC di quarta generazione da 1200 V, basati su tecnologie di punta, ottimizzati per i sistemi di powertrain nel settore automotive, compreso l’inverter di trazione principale, e per gli alimentatori di apparecchiature industriali. Negli ultimi anni la proliferazione dei veicoli elettrici di prossima generazione (xEV) ha accelerato lo sviluppo di sistemi elettronici di minori dimensioni, più leggeri e più efficienti. In particolare una delle sfide più importanti resta migliorare…

Il MOSFET Power Block di Diodes Incorporated aumenta l’efficienza dei convertitori di potenza e fa risparmiare spazio sul PCB

Diodes Incorporated ha annunciato oggi la disponibilità del primo in una nuova generazione di MOSFET discreti. The DMN3012LEG delivers DMN3012LEG offre una maggiore efficienza in un package più piccolo per fornire significativi risparmi in termini di costi, energia e spazio, in una vasta gamma di applicazioni di conversione e controllo della potenza. Il DMN3012LEG integra doppi MOSFET in un unico package che misura solo 3,3 mm x 3,3 mm e riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 50% rispetto a una tipica soluzione a due chip. Questo risparmio…