ON Semiconductor presenta soluzioni integrate per azionamenti industriali ad APEC 2021

ON Semiconductor®, azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha annunciato l’introduzione di nuovi moduli CI (Converter-Inverter) con correzione del fattore di potenza (PFC – Power Factor Correction) per azionamenti industriali, servoazionamenti e sistemi HVAC dove vengono utilizzati per pilotare motori in applicazioni dove è previsto l’impiego e ventole e pompe. I nuovi NXH50M65L4C2SG e NXH50M65L4C2ESG sono moduli di potenza integrati realizzati utilizzando la tecnica di stampaggio per trasferimento (TMPIM – Transfer−Molded Power Integrated Module) basati rispettivamente su substrati in ossido di alluminio (AI2O3) e con…

ON Semiconductor annuncia soluzioni innovative per alimentatori offline ad altissima densità

ON Semiconductor®, azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha ampliato la propria offerta di soluzioni per alimentatori offline ad altissima densità con l’aggiunta di un nuovo controllore per PFC totem pole operante in modalità CrM (conduzione critica). Nei tradizionali circuiti PFC, i diodi del ponte rettificatore presente in un alimentatore da 240 W consumano all’incirca 4 W, un valore che rappresenta circa il 20% delle perdite totali. Gli stadi PFC, invece, sono caratterizzati da livelli di efficienza del 97% (valore tipico) e il circuito LLC…

ON Semiconductor annuncia nuovi moduli MOSFET in carburo di silicio per la ricarica di veicoli elettrici ad APEC 2021

ON Semiconductor ha annunciato una coppia di moduli MOSFET SiC (Silicon Carbide) da 1200 V in configurazione 2-PACK ampliando ulteriormente la propria offerta di prodotti destinati al mercato dei veicoli elettrici (EV). Nel momento in cui aumentano le vendite di veicoli elettrici, è necessario mettere a punto le infrastrutture necessarie per soddisfare le aspettative dei guidatori, realizzando una rete di stazioni di ricarica veloce che consenta loro di completare i viaggi rapidamente e tranquillamente senza “ansia da rifornimento”. In questo settore i requisiti evolvono rapidamente e livelli di potenza superiori a…

Gli innegabili vantaggi della tecnologia SiC rispetto alla tecnologia Si

Di Milan Ivkovic è Segment Director per EBV Elektronik, una divisione Avnet La tecnologia al carburo di silicio (SiC) ha raggiunto un punto di svolta dove gli innegabili vantaggi la spingono verso una rapida adozione. Oggi, i progettisti che cercano di rimanere competitivi e di ridurre i costi di sistema nel lungo termine si rivolgono alle tecnologie SiC per molte ragioni, tra le quali: Riduzione del costo dell’applicazione: I progetti basati su SiC, pur richiedendo un certo investimento iniziale, offrono una riduzione dei costi di sistema grazie alla maggiore efficienza…

Come costruire un sistema di controllo per motori di piccole dimensioni

di Issac K.C. Hsu, Product Marketing Engineer, Texas Instruments Le iniziative a livello mondiale per ridurre le emissioni di gas a effetto serra (GHG) hanno innescato un’evoluzione nel campo automobilistico che richiede alle case automobilistiche di aumentare l’elettrificazione del powertrain nei nuovi veicoli. I veicoli elettrici mild hybrid (MHEV), che utilizzano sistemi di azionamento per motore a 48 V per contribuire a ridurre le emissioni di GHG del motore a combustione interna (ICE), sono emersi come un’alternativa interessante ai fini della compliance, in quanto i costi di implementazione sono molto…

ON Semiconductor annuncia nuove generazioni di MOSFET SUPERFET e di diodi SiC al PCIM Europe 2021

ON Semiconductor, da sempre all’avanguardia nelle innovazioni ad alta efficienza energetica, introdurrà nuovi MOSFET a supergiunzione (SJ) e nuovi diodi SiC, come parte delle proprie iniziative nel corso del PCIM Europe Digital Event di quest’anno. L’efficienza e l’affidabilità sono sempre più importanti nelle applicazioni di potenza, non da ultimo per consentire ai produttori di soddisfare gli standard internazionali più rigorosi. I MOSFET SUPERFET® III FAST SJ da 650 V offrono prestazioni di commutazione migliori rispetto agli altri MOSFET a supergiunzione presenti sul mercato, con una migliore efficienza e una maggiore…

Da OMRON un sensore per controllo touchless con maggiore distanza di rilevamento

OMRON Electronic Components Europe ha annunciato un nuovo prodotto della serie di sensori ottici B5W. Il nuovo sensore a riflessione diffusa B5W-DB si caratterizza per una maggiore distanza di rilevamento pari a 550mm, più lunga rispetto ai sensori riflessivi a luce convergente di pari dimensioni, caratteristica che lo rende ideale per interfacce utente COVID-safe. Il B5W-DB di OMRON ha una migliore resistenza ai disturbi legati alla luce, caratteristica che lo rende meno suscettibile alla luce ambiente, per esempio quella solare. Il sensore può essere montato su quattro direzioni e opera…

I moduli MOSFET al SiC di Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha sfruttato le proprie competenze tecnologiche nei processi a semiconduttori a banda larga (WBC) per introdurre un modulo MOSFET compatto ma efficiente. Il nuovo MG800FXF2YMS3 incorpora dispositivi MOSFET da 3300V a doppio canale al carburo di silicio (SiC) in grado di supportare correnti da 800A. Le principali applicazioni di questi moduli ad alta densità di potenza includono gli azionamenti industriali, le apparecchiature per il controllo dei motori, gli inverter di potenza per i siti di generazione di energia rinnovabile, e i convertitori/inverter necessari per l’infrastruttura…

Toshiba annuncia cinque MOSFET di potenza a supergiunzione

Toshiba Electronics Europe GmbH ha annunciato cinque MOSFET di potenza a supergiunzione da 650 V alloggiati nel nuovo package SMD compatto in formato TO-leadless (TOLL). Misurando appena 9,9 mm x 11,68 mm x 2,3 mm (LxPxA), i dispositivi TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z e TK190U65Z presentano un ingombro inferiore del 27% rispetto al package D2PAK convenzionale. Le applicazioni tipiche includono gli alimentatori per server nei data center, i convertitori di potenza fotovoltaici (FV), i gruppi di continuità (UPS) e altre applicazioni industriali. La gamma è stata ampliata con i prodotti della…

Come scegliere i dispositivi GaN o SiC per la commutazione ad alta tensione

a cura di Udo Blaga – Senior Technology Application Engineer Power, Avnet Silica. Ogni ingegnere vorrebbe potere disporre di uno switch perfetto in grado di commutare istantaneamente tra gli stati On e Off e che sia immune da perdite. Per avere minori perdite possibili quando si passa da uno stato all’altro, è necessario che lo switch abbia una serie di caratteristiche. Deve avere una tensione di breakdown infinita, non consentire alcun flusso di corrente quando è interdetto, non presentare una differenza di tensione quando è polarizzato e non impiegare tempo…