Circuiti automotive dalle dimensioni ridotte con i MOSFET ultracompatti da 1 mmq 

  Migliorano la dissipazione termica e l’affidabilità di montaggio. ROHM ha presentato i MOSFET ultracompatti modello RV8C010UN, RV8L002SN e BSS84X, qualificati AEC-Q101, dalle dimensioni di 1 mm² ai vertici della categoria, che offrono un’affidabilità perfetta per il settore automotive. AEC è l’acronimo di Automotive Electronics Council, un’organizzazione che ha la responsabilità di fissare gli standard di affidabilità per l’elettronica automotive. Lo standard Q101 è specificamente destinato a prodotti a semiconduttori discreti. I prodotti sono idonei ad applicazioni ad alta densità quali i sistemi ADAS e le unità di controllo elettronico.…

I dispositivi MOSFET compatti e a bassa resistenza di Toshiba migliorano il funzionamento del pacco batterie

I componenti sono destinati all’uso nei pacchi batterie agli ioni di litio dei prodotti hardware consumer. Toshiba Electronics Europe ha ulteriormente ampliato il proprio portafoglio completo di MOSFET a canale N a basso consumo con l’introduzione dei dispositivi SSM6N951L. Sfruttando l’esperienza avanzata dell’azienda nei processi dei semiconduttori di potenza e la proprietà intellettuale all’avanguardia, questo dispositivo a drain comune da 12 V presenta numerosi parametri di prestazioni operative ai vertici nel settore. L’SSM6N951L è destinato nello specifico ad essere incluso nel circuito di protezione delle batterie incorporato nei pacchi batterie…

Da Rohm quarta generazione di MOSFET SiC con la più bassa resistenza di conduzione del settore

Grazie all’avanzato design, se ne prevede un ampio utilizzo negli inverter di trazione principale dei veicoli elettrici. ROHM annuncia i MOSFET SiC di quarta generazione da 1200 V, basati su tecnologie di punta, ottimizzati per i sistemi di powertrain nel settore automotive, compreso l’inverter di trazione principale, e per gli alimentatori di apparecchiature industriali. Negli ultimi anni la proliferazione dei veicoli elettrici di prossima generazione (xEV) ha accelerato lo sviluppo di sistemi elettronici di minori dimensioni, più leggeri e più efficienti. In particolare una delle sfide più importanti resta migliorare…

Il MOSFET Power Block di Diodes Incorporated aumenta l’efficienza dei convertitori di potenza e fa risparmiare spazio sul PCB

Diodes Incorporated ha annunciato oggi la disponibilità del primo in una nuova generazione di MOSFET discreti. The DMN3012LEG delivers DMN3012LEG offre una maggiore efficienza in un package più piccolo per fornire significativi risparmi in termini di costi, energia e spazio, in una vasta gamma di applicazioni di conversione e controllo della potenza. Il DMN3012LEG integra doppi MOSFET in un unico package che misura solo 3,3 mm x 3,3 mm e riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 50% rispetto a una tipica soluzione a due chip. Questo risparmio…

Nuova serie MOSFET supergiunzione CoolMOS CFD7A a 650 V per applicazioni automobilistiche

A supporto delle esigenze del mercato dell’elettromobilità, Infineon Technologies lancia la sua nuova famiglia di prodotti: la serie CoolMOS ™ CFD7A. Questi prodotti a base di silicio e ad alte prestazioni possono essere utilizzati sia nello stadio PFC che in quello DC-DC dei sistemi di caricabatterie di bordo e dei convertitori DC-DC HV-LV specificamente ottimizzati per le applicazioni dei veicoli elettrici. Con diversi anni di esperienza nel settore automobilistico, Infineon combina la massima qualità andando ben oltre lo standard AEC Q101 con un know-how tecnologico senza rivali per la serie CoolMOS CFD7A. CoolMOS CFD7A…

STMicroelectronics rivela un innovativo controller di rettifica sincrona per adattatori di alimentazione ad alta efficienza

Il controller di rettifica sincrona sul lato secondario SRK1001 di ST introduce funzionalità adattive che riducono i costi della distinta materiali, riducono al minimo le dimensioni del circuito e semplificano la progettazione di adattatori di alimentazione, caricabatterie, prese di alimentazione USB e alimentatori di illuminazione basati su topologie flyback. Progettato per l’accensione rapida con il minimo ritardo e l’introduzione di una innovativa logica di spegnimento adattiva, SRK1001 massimizza i tempi di conduzione del MOSFET a rettifica sincrona per un’efficienza ottimale e minima perdite di commutazione. A differenza di altri controller sul…

Microchip espande la famiglia di prodotti di potenza al carburo di silicio (SiC).

Lo scopo è quello di fornire miglioramenti a livello di sistema in termini di efficienza, dimensioni e affidabilità. I moduli di potenza basati su SBD 700, 1200 e 1700V massimizzano l’efficienza di commutazione, consentendo una drastica riduzione delle dimensioni. Continua a crescere la domanda di dispositivi di potenza al carburo di silicio (SiC) per massimizzare l’efficienza e ridurre dimensioni e peso, consentendo agli ingegneri di creare soluzioni di alimentazione innovative. Le applicazioni che sfruttano la tecnologia SiC spaziano da veicoli elettrici e stazioni di ricarica a reti elettriche intelligenti e…

ON Semiconductor presenta i nuovi MOSFET SiC da 900 V e 1200 V per applicazioni critiche

  I nuovi dispositivi MOSFET SiC consentiranno prestazioni migliori, maggiore efficienza e capacità di operare in condizioni difficili. ON Semiconductor ha ampliato la propria gamma di dispositivi wide bandgap (WBG) con l’introduzione di due nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Destinati all’uso in una varietà di applicazioni critiche ad alta domanda tra cui inverter per impianti di energia solare, ricarica di bordo per veicoli elettrici (EV), gruppi di continuità (UPS), alimentatori per server e stazioni di ricarica EV, i nuovi dispositivi offrono livelli di prestazioni semplicemente impossibili con i MOSFET al silicio (Si).…

TLP5231, nuovo driver IGBT / MOSFET a doppia uscita da Toshiba

Il dispositivo include una funzione completa di rilevamento guasti per semplificare la progettazione circuitale. Toshiba Electronics Europe ha annunciato oggi un nuovo driver IGBT/MOSFET dotato di funzionalità aggiuntive integrate. Il nuovo TLP5231 semplificherà l’attività progettuale in un’ampia gamma di applicazioni, che comprendono gli inverter industriali, i gruppi di continuità (UPS), gli adattatori di alimentazione per l’energia solare e il controllo dei motori. Il pre-driver TLP5231 dispone di una coppia di uscite progettate per pilotare i MOSFET esterni a canale P e a canale N utilizzati per i buffer di corrente.…

G3VM-21MT, relè MOSFET di Omron in grado di minimizzare la dispersione di corrente

Il G3VM-21MT combina i vantaggi delle tecnologie a relè meccaniche e MOSFET per fornire una soluzione definitiva per i test di commutazione.  In un mondo in cui i semiconduttori e altri sistemi di collaudo la fanno da padrone, Omron Electronics Components Europe ha creato un modulo basato su relè MOSFET in grado di minimizzare la dispersione di corrente. Con una innovativa struttura del circuito a T, il G3VM-21MT Omron offre un livello di dispersione di corrente eccezionalmente basso, pari a 1pA (pico-Amp) o meno, assicurando così misurazioni accurate in tutti…