Da Rohm quarta generazione di MOSFET SiC con la più bassa resistenza di conduzione del settore

Grazie all’avanzato design, se ne prevede un ampio utilizzo negli inverter di trazione principale dei veicoli elettrici. ROHM annuncia i MOSFET SiC di quarta generazione da 1200 V, basati su tecnologie di punta, ottimizzati per i sistemi di powertrain nel settore automotive, compreso l’inverter di trazione principale, e per gli alimentatori di apparecchiature industriali. Negli ultimi anni la proliferazione dei veicoli elettrici di prossima generazione (xEV) ha accelerato lo sviluppo di sistemi… leggi tutto

Il MOSFET Power Block di Diodes Incorporated aumenta l’efficienza dei convertitori di potenza e fa risparmiare spazio sul PCB

Diodes Incorporated ha annunciato oggi la disponibilità del primo in una nuova generazione di MOSFET discreti. The DMN3012LEG delivers DMN3012LEG offre una maggiore efficienza in un package più piccolo per fornire significativi risparmi in termini di costi, energia e spazio, in una vasta gamma di applicazioni di conversione e controllo della potenza. Il DMN3012LEG integra doppi MOSFET in un unico package che misura solo 3,3 mm x 3,3 mm e riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 50%… leggi tutto

Nuova serie MOSFET supergiunzione CoolMOS CFD7A a 650 V per applicazioni automobilistiche

A supporto delle esigenze del mercato dell’elettromobilità, Infineon Technologies lancia la sua nuova famiglia di prodotti: la serie CoolMOS ™ CFD7A. Questi prodotti a base di silicio e ad alte prestazioni possono essere utilizzati sia nello stadio PFC che in quello DC-DC dei sistemi di caricabatterie di bordo e dei convertitori DC-DC HV-LV specificamente ottimizzati per le applicazioni dei veicoli elettrici. Con diversi anni di esperienza nel settore automobilistico, Infineon combina la… leggi tutto

STMicroelectronics rivela un innovativo controller di rettifica sincrona per adattatori di alimentazione ad alta efficienza

Il controller di rettifica sincrona sul lato secondario SRK1001 di ST introduce funzionalità adattive che riducono i costi della distinta materiali, riducono al minimo le dimensioni del circuito e semplificano la progettazione di adattatori di alimentazione, caricabatterie, prese di alimentazione USB e alimentatori di illuminazione basati su topologie flyback. Progettato per l’accensione rapida con il minimo ritardo e l’introduzione di una innovativa logica di spegnimento adattiva, SRK1001… leggi tutto

Microchip espande la famiglia di prodotti di potenza al carburo di silicio (SiC).

Lo scopo è quello di fornire miglioramenti a livello di sistema in termini di efficienza, dimensioni e affidabilità. I moduli di potenza basati su SBD 700, 1200 e 1700V massimizzano l’efficienza di commutazione, consentendo una drastica riduzione delle dimensioni. Continua a crescere la domanda di dispositivi di potenza al carburo di silicio (SiC) per massimizzare l’efficienza e ridurre dimensioni e peso, consentendo agli ingegneri di creare soluzioni di alimentazione innovative. Le applicazioni… leggi tutto

ON Semiconductor presenta i nuovi MOSFET SiC da 900 V e 1200 V per applicazioni critiche

  I nuovi dispositivi MOSFET SiC consentiranno prestazioni migliori, maggiore efficienza e capacità di operare in condizioni difficili. ON Semiconductor ha ampliato la propria gamma di dispositivi wide bandgap (WBG) con l’introduzione di due nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Destinati all’uso in una varietà di applicazioni critiche ad alta domanda tra cui inverter per impianti di energia solare, ricarica di bordo per veicoli elettrici (EV), gruppi di continuità (UPS),… leggi tutto

TLP5231, nuovo driver IGBT / MOSFET a doppia uscita da Toshiba

Il dispositivo include una funzione completa di rilevamento guasti per semplificare la progettazione circuitale. Toshiba Electronics Europe ha annunciato oggi un nuovo driver IGBT/MOSFET dotato di funzionalità aggiuntive integrate. Il nuovo TLP5231 semplificherà l’attività progettuale in un’ampia gamma di applicazioni, che comprendono gli inverter industriali, i gruppi di continuità (UPS), gli adattatori di alimentazione per l’energia solare e il controllo dei motori. Il pre-driver TLP5231… leggi tutto

G3VM-21MT, relè MOSFET di Omron in grado di minimizzare la dispersione di corrente

Il G3VM-21MT combina i vantaggi delle tecnologie a relè meccaniche e MOSFET per fornire una soluzione definitiva per i test di commutazione.  In un mondo in cui i semiconduttori e altri sistemi di collaudo la fanno da padrone, Omron Electronics Components Europe ha creato un modulo basato su relè MOSFET in grado di minimizzare la dispersione di corrente. Con una innovativa struttura del circuito a T, il G3VM-21MT Omron offre un livello di dispersione di corrente eccezionalmente basso, pari a… leggi tutto

Gate driver isolati: quali, come e perché?

MOSFET e IGBT di potenza sono dispo­sitivi controllati in tensione, utilizzati come elementi di commutazione in cir­cuiti di alimentazione e controllo motori, nonché in diversi altri sistemi. Il gate è il terminale di controllo elettricamente isolato di ciascun dispositivo. Gli altri terminali di un MOSFET sono source e drain, mentre per un IGBT vengono definiti collettori (collector) ed emettitori (emitter). Per far funzionare un MOSFET o un IGBT si deve di solito applicare una tensione al gate… leggi tutto

Da Rutronik il MOSFET a canale N di Vishay con elevata densità di potenza

I MOSFET SiSS12DN 40V a canale N di Vishay sono progettati per aumentare la densità di potenza e l’efficienza nelle topologie di conversione di potenza. Sono disponibili in un package compatto Power-PAK 1212-8S da 3,3×3,3 mm e offrono la più bassa capacità di uscita (Coss) della loro classe, inferiore a 2 mΩ. I MOSFET sono disponibili su www.rutronik24.com Con la loro bassa resistenza allo stato attivo (RDS (ON)) di 1,98 mΩ a 10 V, i MOSFET SiSS12DN riducono al minimo le perdite di… leggi tutto