ON Semiconductor presenta i nuovi MOSFET SiC da 900 V e 1200 V per applicazioni critiche

  I nuovi dispositivi MOSFET SiC consentiranno prestazioni migliori, maggiore efficienza e capacità di operare in condizioni difficili. ON Semiconductor ha ampliato la propria gamma di dispositivi wide bandgap (WBG) con l’introduzione di due nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Destinati all’uso in una varietà di applicazioni critiche ad alta domanda tra cui inverter per impianti di energia solare, ricarica di bordo per veicoli elettrici (EV), gruppi di continuità (UPS),… leggi tutto

TLP5231, nuovo driver IGBT / MOSFET a doppia uscita da Toshiba

Il dispositivo include una funzione completa di rilevamento guasti per semplificare la progettazione circuitale. Toshiba Electronics Europe ha annunciato oggi un nuovo driver IGBT/MOSFET dotato di funzionalità aggiuntive integrate. Il nuovo TLP5231 semplificherà l’attività progettuale in un’ampia gamma di applicazioni, che comprendono gli inverter industriali, i gruppi di continuità (UPS), gli adattatori di alimentazione per l’energia solare e il controllo dei motori. Il pre-driver TLP5231… leggi tutto

G3VM-21MT, relè MOSFET di Omron in grado di minimizzare la dispersione di corrente

Il G3VM-21MT combina i vantaggi delle tecnologie a relè meccaniche e MOSFET per fornire una soluzione definitiva per i test di commutazione.  In un mondo in cui i semiconduttori e altri sistemi di collaudo la fanno da padrone, Omron Electronics Components Europe ha creato un modulo basato su relè MOSFET in grado di minimizzare la dispersione di corrente. Con una innovativa struttura del circuito a T, il G3VM-21MT Omron offre un livello di dispersione di corrente eccezionalmente basso, pari a… leggi tutto

Gate driver isolati: quali, come e perché?

MOSFET e IGBT di potenza sono dispo­sitivi controllati in tensione, utilizzati come elementi di commutazione in cir­cuiti di alimentazione e controllo motori, nonché in diversi altri sistemi. Il gate è il terminale di controllo elettricamente isolato di ciascun dispositivo. Gli altri terminali di un MOSFET sono source e drain, mentre per un IGBT vengono definiti collettori (collector) ed emettitori (emitter). Per far funzionare un MOSFET o un IGBT si deve di solito applicare una tensione al gate… leggi tutto

Da Rutronik il MOSFET a canale N di Vishay con elevata densità di potenza

I MOSFET SiSS12DN 40V a canale N di Vishay sono progettati per aumentare la densità di potenza e l’efficienza nelle topologie di conversione di potenza. Sono disponibili in un package compatto Power-PAK 1212-8S da 3,3×3,3 mm e offrono la più bassa capacità di uscita (Coss) della loro classe, inferiore a 2 mΩ. I MOSFET sono disponibili su www.rutronik24.com Con la loro bassa resistenza allo stato attivo (RDS (ON)) di 1,98 mΩ a 10 V, i MOSFET SiSS12DN riducono al minimo le perdite di conduzione…. leggi tutto

Toshiba annuncia nuovi MOSFET a canale N da 100 V per applicazioni automotive

Nuovi dispositivi ad alta efficienza disponibili per la prima volta in un package SOP Advance (WF). Toshiba Electronics Europe ha lanciato i suoi primi MOSFET a canale N da 100 V per applicazioni automotive, disponibili nel minuscolo package SOP Advance (WF) a montaggio superficiale. Progettati specificamente per le moderne applicazioni di sistema a 48 V, i dispositivi sono adatti per l’uso nei convertitori boost per i generatori di avviamento integrati (ISG) e i fari a LED, oltre che per gli… leggi tutto

I nuovi MOSFET ultracompatti automotive di ROHM per un’affidabilità di montaggio superiore

La nuova serie RV4xxx consente una maggiore miniaturizzazione in dispositivi automotive come le telecamere ADAS. ROHM ha annunciato oggi lo sviluppo di MOSFET ultracompatti di dimensioni pari a 1,6×1,6 mm, in grado di fornire un’affidabilità di montaggio superiore. La serie RV4xxx è qualificata AEC-Q101 ed assicura affidabilità e performance idonee al settore automotive anche in condizioni estreme. L’originale tecnologia di lavorazione del package utilizzata da ROHM consente la miniaturizzazione di… leggi tutto

UCC21710-Q1, UCC21732-Q1, UCC21750: gate driver isolati con rilevamento integrato per IGBT e MOSFET SiC

I nuovi gate driver di TI offrono monitoraggio e protezione avanzati migliorando al contempo l’efficienza totale del sistema nelle applicazioni automobilistiche e industriali. Texas Instruments ha presentato oggi diversi nuovi gate driver isolati che forniscono livelli senza precedenti di monitoraggio e protezione per i sistemi ad alta tensione. L’UCC21710-Q1, l’UCC21732-Q1 e l’UCC21750 consentono ai progettisti di creare progetti di minori dimensioni, maggiore efficienza e dalle prestazioni più… leggi tutto

Toshiba lancia una serie di MOSFET con clamp attivo per il pilotaggio dei relè

Dimensioni compatte, bassa resistenza e qualifica AEC-Q101 per impiego in ambito automotive. Toshiba Electronics Europe ha annunciato il lancio di una nuova serie di MOSFET che incorpora una struttura a clamp attivo con un diodo integrato tra i terminali di drain e di gate. Richiedendo un numero minimo di componenti esterni, il dispositivo singolo SSM3K357R e il componente duale SSM6N357R sono adatti per il pilotaggio di carichi induttivi, come i relè meccanici o i solenoidi.  La nuova serie… leggi tutto