Micron perfeziona la prima NAND a 176 strati del settore e la DRAM 1-Alpha

Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) ha presentato oggi alcune novità che riguardano la sua gamma di soluzioni di memoria e archiviazione basate sulla sua tecnologia leader di settore NAND a 176 strati e DRAM 1α (1-alpha), oltre che la prima soluzione di archiviazione flash universale 3.1 per le applicazioni automobilistiche. L’ampliamento della gamma è in linea con la visione dell’azienda di accelerare le informazioni basate sui dati attraverso innovazioni a livello di memoria e di archiviazione che consentono nuove funzionalità, dal data center all’intelligent edge. Il presidente e CEO di…

Micron presenta la prima tecnologia 1-alpha DRAM del settore

Micron Technology ha annunciato i prodotti DRAM a nodo 1α (1-alpha), creati usando la tecnologia di processo DRAM più avanzata al mondo e offrendo importanti miglioramenti in densità dei bit, potenza e prestazioni. Questa pietra miliare va a potenziare la forza competitiva di Micron e si aggiunge alle sue recenti innovazioni: la memoria grafica più veloce al mondo e la NAND a 176 livelli. “Questo traguardo con nodo 1α conferma l’eccellenza di Micron nel campo della DRAM ed è un risultato diretto dell’impegno assoluto di Micron nella tecnologia e nel…

Micron annuncia la produzione di massa di uMCP5 che combina nello stesso package NAND UFS e DRAM LPDDR5

Un unico package con memoria e archiviazione ad alte prestazioni e basso consumo accelerano le applicazioni 5G negli smartphone. Micron Technology annuncia l’avvio della produzione di massa della soluzione uMCP5, un prodotto multichip che combina nello stesso package NAND UFS (Universal Flash Storage) e DRAM LPDDR5 a basso consumo. La soluzione uMCP5 combina memoria e storage ad alte prestazioni, alta densità e basso consumo, in un singolo package compatto, destinato ad equipaggiare gli smartphone con carichi di lavoro ad alta intensità offrendo velocità ed efficienza energetica superiori. Il package multichip utilizza…

SK hynix acquisisce il business delle memorie NAND Intel, ad esclusione dell’attività Optane

SK hynix e Intel hanno annunciato oggi di aver firmato un accordo in base al quale SK hynix – secondo produttore mondiale di memorie con sede in Corea del Sud – acquisirà da Intel il business NAND SSD, il business dei componenti NAND e dei wafer nonché l’impianto di produzione di memorie NAND di Dalian in Cina. Intel manterrà la sua attività relativa alle memorie Optane. La transazione avverrà sulla base di 9 miliardi di dollari. Nel comunicato congiunto, SK hynix e Intel affermano che si adopereranno per ottenere le…

Toshiba Memory da Ottobre sarà “Kioxia”

Il nome del marchio unico combina la parola Giapponese che significa “memoria” e la parola Greca che indica “valore”.  Toshiba Memory Europe ha annunciato oggi che cambierà ufficialmente il proprio nome in Kioxia Europe GmbH il 1o ottobre 2019. Il nome Kioxia (kē-ōx’-ē-uh) verrà adottato per le denominazioni di tutte le società Toshiba Memory, e diventerà generalmente effettivo a partire dalla stessa data. Kioxia è una combinazione della parola Giapponese kioku che significa “memoria” e della parola Greca axia che significa “valore”. Unendo “memoria” con “valore”, il nome Kioxia rappresenta…