Cree si focalizza su SiC e GaN e vende l’unità di LED Business a SMART Global Holding per 300 milioni

Cree ha annunciato la vendita della sua attività legata ai LED allo stato solido a SMART Global Holdings, una società californiana che si occupa prevalentemente di storage. Il corrispettivo della vendita è di 300 milioni di dollari di cui 50 già versati. Prosegue così la missione del CEO di Cree Gregg Lowe di spostare il focus della società sui dispositivi al carburo di silicio e nitruro di gallio, nonché su nuovi, innovativi, materiali, rafforzando l’attività di Wolfspeed (una costola di Cree), leader nella produzione di dispositivi di potenza SiC ed…

Toshiba lancia un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V

Il dispositivo offre perdite significativamente ridotte, aumentando in questo modo l’efficienza della soluzione di alimentazione. Toshiba Electronics ha lanciato un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V per applicazioni industriali ad alta potenza, che includono gli alimentatori AC-DC con ingresso da 400 V, gli inverter fotovoltaici (PV) e i convertitori DC-DC bidirezionali i per gruppi di continuità (UPS). Il nuovo MOSFET di potenza TW070J120B si basa sul SiC, un nuovo materiale a banda larga che consente ai dispositivi di offrire resistenza alle alte tensioni, commutazione ad alta velocità…

Da Rohm quarta generazione di MOSFET SiC con la più bassa resistenza di conduzione del settore

Grazie all’avanzato design, se ne prevede un ampio utilizzo negli inverter di trazione principale dei veicoli elettrici. ROHM annuncia i MOSFET SiC di quarta generazione da 1200 V, basati su tecnologie di punta, ottimizzati per i sistemi di powertrain nel settore automotive, compreso l’inverter di trazione principale, e per gli alimentatori di apparecchiature industriali. Negli ultimi anni la proliferazione dei veicoli elettrici di prossima generazione (xEV) ha accelerato lo sviluppo di sistemi elettronici di minori dimensioni, più leggeri e più efficienti. In particolare una delle sfide più importanti resta migliorare…

Vitesco Technologies e ROHM collaborano su soluzioni di potenza al carburo di silicio

Vitesco Technologies, l’area di business Powertrain di Continental e fornitore leader nel campo dell’elettrificazione dei veicoli, e ROHM Semiconductor, una delle principali aziende operanti nel settore dei semiconduttori di potenza SiC, hanno recentemente siglato una partnership di sviluppo che partirà nel giugno 2020. Vitesco Technologies farà uso di componenti SiC per incrementare ulteriormente l’efficienza della sua elettronica di potenza destinata ai veicoli elettrici. Grazie alla loro maggiore efficienza i semiconduttori SiC utilizzano meglio l’energia elettrica accumulata nella batteria di un veicolo. Pertanto un veicolo elettrico gode di un’autonomia maggiore, oppure…

Così il carburo di silicio “cubico” rivoluzionerà l’elettronica di potenza

Trasporto elettronico calcolato su base quantistica in strutture ideali e con difetti.    La crescita di substrati di alta qualità per applicazioni microelettroniche è uno degli elementi chiave che possono guidare la società verso un’economia verde più sostenibile. Oggi, il silicio svolge un ruolo centrale nell’industria dei semiconduttori per i dispositivi microelettronici e nano elettronici: wafer di silicio di materiale monocristallino di elevata purezza (99,0% o superiore) possono essere ottenuti mediante una combinazione di metodi di crescita a partire dalla fase liquida e una successiva epitassia. Per l’assenza di una…

ON Semiconductor presenta i nuovi MOSFET SiC da 900 V e 1200 V per applicazioni critiche

  I nuovi dispositivi MOSFET SiC consentiranno prestazioni migliori, maggiore efficienza e capacità di operare in condizioni difficili. ON Semiconductor ha ampliato la propria gamma di dispositivi wide bandgap (WBG) con l’introduzione di due nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Destinati all’uso in una varietà di applicazioni critiche ad alta domanda tra cui inverter per impianti di energia solare, ricarica di bordo per veicoli elettrici (EV), gruppi di continuità (UPS), alimentatori per server e stazioni di ricarica EV, i nuovi dispositivi offrono livelli di prestazioni semplicemente impossibili con i MOSFET al silicio (Si).…

La famiglia CoolSiC MOSFET 650 V offre la migliore affidabilità per un numero sempre maggiore di applicazioni

Infineon Technologies continua ad espandere la sua gamma di prodotti in carburo di silicio (SiC) con dispositivi a 650 V. Con i MOSFET CoolSiC  lanciati di recente, Infineon risponde alla crescente domanda di efficienza energetica, densità di potenza e robustezza, per una vasta gamma di applicazioni. Tra questi ci sono  server, SMPS per telecom e industria, impianti fotovoltaici, sistemi di accumulo energetico, battery formation, UPS, controlli per motori e sistemi di ricarica per vetture elettriche. “Con questo prodotto, Infineon completa la sua vasta gamma di semiconduttori di potenza al nitruro di silicio, carburo di…

Piattaforma di valutazione per convertitori di potenza SiC

  Aiuta i progettisti ad applicare l’efficienza energetica del carburo di silicio in applicazioni industriali, HEV automobilistiche e di centri dati.  Littelfuse ha annunciato oggi GDEV, Piattaforma di valutazione per Gate Drive (Gate Drive Evaluation Platform). La nuova piattaforma di valutazione aiuta i progettisti a valutare MOSFET SiC, diodi Schottky SiC e altri componenti come i Gate Drive, in modo da comprendere meglio come le tecnologie al carburo di silicio si comporteranno nei convertitori in condizioni di funzionamento continuo. GDEV offre terminali ad attacco rapido che consentono un confronto rapido…

SiCrystal, società del gruppo ROHM, e ST annunciano accordo per la fornitura di wafer di carburo di silicio

  L’accordo accrescerà la flessibilità industriale e sosterrà l’espansione commerciale di prodotti SiC in applicazioni per il mercato automotive e industriale.  ROHM e STMicroelectronics hanno annunciato oggi la firma di un accordo pluriennale di fornitura di wafer di carburo di silicio (SiC) con SiCrystal, società del gruppo ROHM che detiene una quota importante del mercato SiC in Europa. L’accordo prevede la fornitura di oltre 120 milioni di dollari di sofisticati substrati da 150 mm in carburo di silicio da parte di SiCrystal a STMicroelectronics in questo periodo di ramp-up della domanda di dispositivi…

Il driver SiC con gate isolato di Maxim offre un’efficienza energetica ai vertici della classe e aumenta l’affidabilità del sistema

    MAX22701E riduce le perdite energetiche complessive del 30 percento e migliora il tempo di attività del sistema con prestazioni CMTI fino a 3 volte maggiori. Con il driver con gate isolato MAX22701E di Maxim Integrated i progettisti di sistemi di alimentazione ad alta tensione/alta potenza possono migliorare l’efficienza energetica fino a 4 punti percentuali rispetto alle soluzioni simili disponibili sul mercato, che si traduce approssimativamente in un 30 percento di perdite di potenza in meno e in un ingombro inferiore del 30 percento. Il driver è destinato all’uso…