Da Rohm quarta generazione di MOSFET SiC con la più bassa resistenza di conduzione del settore

Grazie all’avanzato design, se ne prevede un ampio utilizzo negli inverter di trazione principale dei veicoli elettrici. ROHM annuncia i MOSFET SiC di quarta generazione da 1200 V, basati su tecnologie di punta, ottimizzati per i sistemi di powertrain nel settore automotive, compreso l’inverter di trazione principale, e per gli alimentatori di apparecchiature industriali. Negli ultimi anni la proliferazione dei veicoli elettrici di prossima generazione (xEV) ha accelerato lo sviluppo di sistemi… leggi tutto

Vitesco Technologies e ROHM collaborano su soluzioni di potenza al carburo di silicio

Vitesco Technologies, l’area di business Powertrain di Continental e fornitore leader nel campo dell’elettrificazione dei veicoli, e ROHM Semiconductor, una delle principali aziende operanti nel settore dei semiconduttori di potenza SiC, hanno recentemente siglato una partnership di sviluppo che partirà nel giugno 2020. Vitesco Technologies farà uso di componenti SiC per incrementare ulteriormente l’efficienza della sua elettronica di potenza destinata ai veicoli elettrici. Grazie alla loro… leggi tutto

Così il carburo di silicio “cubico” rivoluzionerà l’elettronica di potenza

Trasporto elettronico calcolato su base quantistica in strutture ideali e con difetti.    La crescita di substrati di alta qualità per applicazioni microelettroniche è uno degli elementi chiave che possono guidare la società verso un’economia verde più sostenibile. Oggi, il silicio svolge un ruolo centrale nell’industria dei semiconduttori per i dispositivi microelettronici e nano elettronici: wafer di silicio di materiale monocristallino di elevata purezza (99,0% o superiore) possono… leggi tutto

ON Semiconductor presenta i nuovi MOSFET SiC da 900 V e 1200 V per applicazioni critiche

  I nuovi dispositivi MOSFET SiC consentiranno prestazioni migliori, maggiore efficienza e capacità di operare in condizioni difficili. ON Semiconductor ha ampliato la propria gamma di dispositivi wide bandgap (WBG) con l’introduzione di due nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Destinati all’uso in una varietà di applicazioni critiche ad alta domanda tra cui inverter per impianti di energia solare, ricarica di bordo per veicoli elettrici (EV), gruppi di continuità (UPS),… leggi tutto

La famiglia CoolSiC MOSFET 650 V offre la migliore affidabilità per un numero sempre maggiore di applicazioni

Infineon Technologies continua ad espandere la sua gamma di prodotti in carburo di silicio (SiC) con dispositivi a 650 V. Con i MOSFET CoolSiC  lanciati di recente, Infineon risponde alla crescente domanda di efficienza energetica, densità di potenza e robustezza, per una vasta gamma di applicazioni. Tra questi ci sono  server, SMPS per telecom e industria, impianti fotovoltaici, sistemi di accumulo energetico, battery formation, UPS, controlli per motori e sistemi di ricarica per vetture… leggi tutto

Piattaforma di valutazione per convertitori di potenza SiC

  Aiuta i progettisti ad applicare l’efficienza energetica del carburo di silicio in applicazioni industriali, HEV automobilistiche e di centri dati.  Littelfuse ha annunciato oggi GDEV, Piattaforma di valutazione per Gate Drive (Gate Drive Evaluation Platform). La nuova piattaforma di valutazione aiuta i progettisti a valutare MOSFET SiC, diodi Schottky SiC e altri componenti come i Gate Drive, in modo da comprendere meglio come le tecnologie al carburo di silicio si comporteranno nei… leggi tutto

SiCrystal, società del gruppo ROHM, e ST annunciano accordo per la fornitura di wafer di carburo di silicio

  L’accordo accrescerà la flessibilità industriale e sosterrà l’espansione commerciale di prodotti SiC in applicazioni per il mercato automotive e industriale.  ROHM e STMicroelectronics hanno annunciato oggi la firma di un accordo pluriennale di fornitura di wafer di carburo di silicio (SiC) con SiCrystal, società del gruppo ROHM che detiene una quota importante del mercato SiC in Europa. L’accordo prevede la fornitura di oltre 120 milioni di dollari di sofisticati… leggi tutto

Il driver SiC con gate isolato di Maxim offre un’efficienza energetica ai vertici della classe e aumenta l’affidabilità del sistema

    MAX22701E riduce le perdite energetiche complessive del 30 percento e migliora il tempo di attività del sistema con prestazioni CMTI fino a 3 volte maggiori. Con il driver con gate isolato MAX22701E di Maxim Integrated i progettisti di sistemi di alimentazione ad alta tensione/alta potenza possono migliorare l’efficienza energetica fino a 4 punti percentuali rispetto alle soluzioni simili disponibili sul mercato, che si traduce approssimativamente in un 30 percento di perdite di… leggi tutto

STMicroelectronics conclude l’acquisizione di Norstel AB, azienda specializzata nei wafer in carburo di silicio

STMicroelectronics ha annunciato oggi di avere acquisito interamente la svedese Norstel AB, azienda produttrice di wafer in carburo di silicio (SiC). A seguito della transazione iniziale annunciata a febbraio 2019, ST ha esercitato la sua opzione per acquisire la quota restante del 45%. Il corrispettivo totale per l’acquisizione di Norstel è stato di 137,5 milioni di dollari, finanziato con la liquidità disponibile. ST rafforza così il suo ecosistema SiC interno, che spazia dalle… leggi tutto

ABB e Cree siglano una partnership per accelerare l’uso dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio

  ABB Power Grids e Cree, il principale produttore statunitense di semiconduttori di potenza al carburo di silicio, hanno annunciato una partnership per accelerare il lancio di prodotti a base di carburo di silicio nel mercato in rapida crescita dei semiconduttori di potenza. Il carburo di silicio è un semiconduttore che può commutare correnti elevate con perdite inferiori, rispetto a un semiconduttore standard. Incorporando i semiconduttori al carburo di silicio di Cree nel suo portafoglio… leggi tutto