La tecnologia dei moduli trasformatori integrati di TI aiuta a massimizzare l’autonomia di guida nei veicoli ibridi ed elettrici

Texas Instruments (TI) ha presentato il modulo di alimentazione a polarizzazione in CC/CC isolato da 1,5 W più piccolo e preciso del settore. L’UCC14240-Q1 utilizza una tecnologia di trasformazione integrata e proprietaria per consentire ai progettisti di dimezzare le dimensioni delle soluzioni di alimentazione per l’utilizzo in ambienti ad alta tensione come nei veicoli elettrici (EV), ibridi, nei sistemi di azionamento motore e negli inverter collegati alla rete. Con la sempre più veloce crescita del mercato dei veicoli elettrici, i progettisti automotive sono alla ricerca di nuovi modi per migliorare…

ON Semiconductor presenta soluzioni integrate per azionamenti industriali ad APEC 2021

ON Semiconductor®, azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha annunciato l’introduzione di nuovi moduli CI (Converter-Inverter) con correzione del fattore di potenza (PFC – Power Factor Correction) per azionamenti industriali, servoazionamenti e sistemi HVAC dove vengono utilizzati per pilotare motori in applicazioni dove è previsto l’impiego e ventole e pompe. I nuovi NXH50M65L4C2SG e NXH50M65L4C2ESG sono moduli di potenza integrati realizzati utilizzando la tecnica di stampaggio per trasferimento (TMPIM – Transfer−Molded Power Integrated Module) basati rispettivamente su substrati in ossido di alluminio (AI2O3) e con…

ON Semiconductor annuncia soluzioni innovative per alimentatori offline ad altissima densità

ON Semiconductor®, azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha ampliato la propria offerta di soluzioni per alimentatori offline ad altissima densità con l’aggiunta di un nuovo controllore per PFC totem pole operante in modalità CrM (conduzione critica). Nei tradizionali circuiti PFC, i diodi del ponte rettificatore presente in un alimentatore da 240 W consumano all’incirca 4 W, un valore che rappresenta circa il 20% delle perdite totali. Gli stadi PFC, invece, sono caratterizzati da livelli di efficienza del 97% (valore tipico) e il circuito LLC…

ON Semiconductor annuncia nuovi moduli MOSFET in carburo di silicio per la ricarica di veicoli elettrici ad APEC 2021

ON Semiconductor ha annunciato una coppia di moduli MOSFET SiC (Silicon Carbide) da 1200 V in configurazione 2-PACK ampliando ulteriormente la propria offerta di prodotti destinati al mercato dei veicoli elettrici (EV). Nel momento in cui aumentano le vendite di veicoli elettrici, è necessario mettere a punto le infrastrutture necessarie per soddisfare le aspettative dei guidatori, realizzando una rete di stazioni di ricarica veloce che consenta loro di completare i viaggi rapidamente e tranquillamente senza “ansia da rifornimento”. In questo settore i requisiti evolvono rapidamente e livelli di potenza superiori a…

Gli innegabili vantaggi della tecnologia SiC rispetto alla tecnologia Si

Di Milan Ivkovic è Segment Director per EBV Elektronik, una divisione Avnet La tecnologia al carburo di silicio (SiC) ha raggiunto un punto di svolta dove gli innegabili vantaggi la spingono verso una rapida adozione. Oggi, i progettisti che cercano di rimanere competitivi e di ridurre i costi di sistema nel lungo termine si rivolgono alle tecnologie SiC per molte ragioni, tra le quali: Riduzione del costo dell’applicazione: I progetti basati su SiC, pur richiedendo un certo investimento iniziale, offrono una riduzione dei costi di sistema grazie alla maggiore efficienza…

I moduli MOSFET al SiC di Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha sfruttato le proprie competenze tecnologiche nei processi a semiconduttori a banda larga (WBC) per introdurre un modulo MOSFET compatto ma efficiente. Il nuovo MG800FXF2YMS3 incorpora dispositivi MOSFET da 3300V a doppio canale al carburo di silicio (SiC) in grado di supportare correnti da 800A. Le principali applicazioni di questi moduli ad alta densità di potenza includono gli azionamenti industriali, le apparecchiature per il controllo dei motori, gli inverter di potenza per i siti di generazione di energia rinnovabile, e i convertitori/inverter necessari per l’infrastruttura…

Come scegliere i dispositivi GaN o SiC per la commutazione ad alta tensione

a cura di Udo Blaga – Senior Technology Application Engineer Power, Avnet Silica. Ogni ingegnere vorrebbe potere disporre di uno switch perfetto in grado di commutare istantaneamente tra gli stati On e Off e che sia immune da perdite. Per avere minori perdite possibili quando si passa da uno stato all’altro, è necessario che lo switch abbia una serie di caratteristiche. Deve avere una tensione di breakdown infinita, non consentire alcun flusso di corrente quando è interdetto, non presentare una differenza di tensione quando è polarizzato e non impiegare tempo…

Cree si focalizza su SiC e GaN e vende l’unità di LED Business a SMART Global Holding per 300 milioni

Cree ha annunciato la vendita della sua attività legata ai LED allo stato solido a SMART Global Holdings, una società californiana che si occupa prevalentemente di storage. Il corrispettivo della vendita è di 300 milioni di dollari di cui 50 già versati. Prosegue così la missione del CEO di Cree Gregg Lowe di spostare il focus della società sui dispositivi al carburo di silicio e nitruro di gallio, nonché su nuovi, innovativi, materiali, rafforzando l’attività di Wolfspeed (una costola di Cree), leader nella produzione di dispositivi di potenza SiC ed…

Toshiba lancia un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V

Il dispositivo offre perdite significativamente ridotte, aumentando in questo modo l’efficienza della soluzione di alimentazione. Toshiba Electronics ha lanciato un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V per applicazioni industriali ad alta potenza, che includono gli alimentatori AC-DC con ingresso da 400 V, gli inverter fotovoltaici (PV) e i convertitori DC-DC bidirezionali i per gruppi di continuità (UPS). Il nuovo MOSFET di potenza TW070J120B si basa sul SiC, un nuovo materiale a banda larga che consente ai dispositivi di offrire resistenza alle alte tensioni, commutazione ad alta velocità…

Da Rohm quarta generazione di MOSFET SiC con la più bassa resistenza di conduzione del settore

Grazie all’avanzato design, se ne prevede un ampio utilizzo negli inverter di trazione principale dei veicoli elettrici. ROHM annuncia i MOSFET SiC di quarta generazione da 1200 V, basati su tecnologie di punta, ottimizzati per i sistemi di powertrain nel settore automotive, compreso l’inverter di trazione principale, e per gli alimentatori di apparecchiature industriali. Negli ultimi anni la proliferazione dei veicoli elettrici di prossima generazione (xEV) ha accelerato lo sviluppo di sistemi elettronici di minori dimensioni, più leggeri e più efficienti. In particolare una delle sfide più importanti resta migliorare…