I moduli MOSFET al SiC di Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha sfruttato le proprie competenze tecnologiche nei processi a semiconduttori a banda larga (WBC) per introdurre un modulo MOSFET compatto ma efficiente. Il nuovo MG800FXF2YMS3 incorpora dispositivi MOSFET da 3300V a doppio canale al carburo di silicio (SiC) in grado di supportare correnti da 800A. Le principali applicazioni di questi moduli ad alta densità di potenza includono gli azionamenti industriali, le apparecchiature per il controllo dei motori, gli inverter di potenza per i siti di generazione di energia rinnovabile, e i convertitori/inverter necessari per l’infrastruttura…

Come scegliere i dispositivi GaN o SiC per la commutazione ad alta tensione

a cura di Udo Blaga – Senior Technology Application Engineer Power, Avnet Silica. Ogni ingegnere vorrebbe potere disporre di uno switch perfetto in grado di commutare istantaneamente tra gli stati On e Off e che sia immune da perdite. Per avere minori perdite possibili quando si passa da uno stato all’altro, è necessario che lo switch abbia una serie di caratteristiche. Deve avere una tensione di breakdown infinita, non consentire alcun flusso di corrente quando è interdetto, non presentare una differenza di tensione quando è polarizzato e non impiegare tempo…

Cree si focalizza su SiC e GaN e vende l’unità di LED Business a SMART Global Holding per 300 milioni

Cree ha annunciato la vendita della sua attività legata ai LED allo stato solido a SMART Global Holdings, una società californiana che si occupa prevalentemente di storage. Il corrispettivo della vendita è di 300 milioni di dollari di cui 50 già versati. Prosegue così la missione del CEO di Cree Gregg Lowe di spostare il focus della società sui dispositivi al carburo di silicio e nitruro di gallio, nonché su nuovi, innovativi, materiali, rafforzando l’attività di Wolfspeed (una costola di Cree), leader nella produzione di dispositivi di potenza SiC ed…

Toshiba lancia un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V

Il dispositivo offre perdite significativamente ridotte, aumentando in questo modo l’efficienza della soluzione di alimentazione. Toshiba Electronics ha lanciato un MOSFET al Carburo di Silicio (SiC) da 1200 V per applicazioni industriali ad alta potenza, che includono gli alimentatori AC-DC con ingresso da 400 V, gli inverter fotovoltaici (PV) e i convertitori DC-DC bidirezionali i per gruppi di continuità (UPS). Il nuovo MOSFET di potenza TW070J120B si basa sul SiC, un nuovo materiale a banda larga che consente ai dispositivi di offrire resistenza alle alte tensioni, commutazione ad alta velocità…

Da Rohm quarta generazione di MOSFET SiC con la più bassa resistenza di conduzione del settore

Grazie all’avanzato design, se ne prevede un ampio utilizzo negli inverter di trazione principale dei veicoli elettrici. ROHM annuncia i MOSFET SiC di quarta generazione da 1200 V, basati su tecnologie di punta, ottimizzati per i sistemi di powertrain nel settore automotive, compreso l’inverter di trazione principale, e per gli alimentatori di apparecchiature industriali. Negli ultimi anni la proliferazione dei veicoli elettrici di prossima generazione (xEV) ha accelerato lo sviluppo di sistemi elettronici di minori dimensioni, più leggeri e più efficienti. In particolare una delle sfide più importanti resta migliorare…

Vitesco Technologies e ROHM collaborano su soluzioni di potenza al carburo di silicio

Vitesco Technologies, l’area di business Powertrain di Continental e fornitore leader nel campo dell’elettrificazione dei veicoli, e ROHM Semiconductor, una delle principali aziende operanti nel settore dei semiconduttori di potenza SiC, hanno recentemente siglato una partnership di sviluppo che partirà nel giugno 2020. Vitesco Technologies farà uso di componenti SiC per incrementare ulteriormente l’efficienza della sua elettronica di potenza destinata ai veicoli elettrici. Grazie alla loro maggiore efficienza i semiconduttori SiC utilizzano meglio l’energia elettrica accumulata nella batteria di un veicolo. Pertanto un veicolo elettrico gode di un’autonomia maggiore, oppure…

Così il carburo di silicio “cubico” rivoluzionerà l’elettronica di potenza

Trasporto elettronico calcolato su base quantistica in strutture ideali e con difetti.    La crescita di substrati di alta qualità per applicazioni microelettroniche è uno degli elementi chiave che possono guidare la società verso un’economia verde più sostenibile. Oggi, il silicio svolge un ruolo centrale nell’industria dei semiconduttori per i dispositivi microelettronici e nano elettronici: wafer di silicio di materiale monocristallino di elevata purezza (99,0% o superiore) possono essere ottenuti mediante una combinazione di metodi di crescita a partire dalla fase liquida e una successiva epitassia. Per l’assenza di una…

ON Semiconductor presenta i nuovi MOSFET SiC da 900 V e 1200 V per applicazioni critiche

  I nuovi dispositivi MOSFET SiC consentiranno prestazioni migliori, maggiore efficienza e capacità di operare in condizioni difficili. ON Semiconductor ha ampliato la propria gamma di dispositivi wide bandgap (WBG) con l’introduzione di due nuove famiglie di MOSFET al carburo di silicio (SiC). Destinati all’uso in una varietà di applicazioni critiche ad alta domanda tra cui inverter per impianti di energia solare, ricarica di bordo per veicoli elettrici (EV), gruppi di continuità (UPS), alimentatori per server e stazioni di ricarica EV, i nuovi dispositivi offrono livelli di prestazioni semplicemente impossibili con i MOSFET al silicio (Si).…

La famiglia CoolSiC MOSFET 650 V offre la migliore affidabilità per un numero sempre maggiore di applicazioni

Infineon Technologies continua ad espandere la sua gamma di prodotti in carburo di silicio (SiC) con dispositivi a 650 V. Con i MOSFET CoolSiC  lanciati di recente, Infineon risponde alla crescente domanda di efficienza energetica, densità di potenza e robustezza, per una vasta gamma di applicazioni. Tra questi ci sono  server, SMPS per telecom e industria, impianti fotovoltaici, sistemi di accumulo energetico, battery formation, UPS, controlli per motori e sistemi di ricarica per vetture elettriche. “Con questo prodotto, Infineon completa la sua vasta gamma di semiconduttori di potenza al nitruro di silicio, carburo di…

Piattaforma di valutazione per convertitori di potenza SiC

  Aiuta i progettisti ad applicare l’efficienza energetica del carburo di silicio in applicazioni industriali, HEV automobilistiche e di centri dati.  Littelfuse ha annunciato oggi GDEV, Piattaforma di valutazione per Gate Drive (Gate Drive Evaluation Platform). La nuova piattaforma di valutazione aiuta i progettisti a valutare MOSFET SiC, diodi Schottky SiC e altri componenti come i Gate Drive, in modo da comprendere meglio come le tecnologie al carburo di silicio si comporteranno nei convertitori in condizioni di funzionamento continuo. GDEV offre terminali ad attacco rapido che consentono un confronto rapido…