Toshiba annuncia il nuovo processo CMOS all’avanguardia al silicio su isolante

Il nuovo processo migliora la figura di rumore degli switch RF e degli amplificatori a basso rumore per applicazioni 5G e Wi-Fi. Toshiba Electronics Europe ha migliorato le caratteristiche della propria tecnologia di processo al silicio su isolante (SOI) per switch RF / IC LNA. Il processo, noto come TaRFSOI (Toshiba RF SOI) è di tipo SOI-CMOS (Silicon on Insulator – Complementary Metal Oxide Semiconductor), ed è una tecnologia di processo di front-end originale che Toshiba ha sviluppato per i… leggi tutto