Come costruire una rete veloce e flessibile per la ricarica di veicoli elettrici

Autore: Henrik Mannesson, General Manager, Grid Infrastructure at Texas Instruments   Il passaggio ai veicoli elettrici (EV) appare inevitabile in quanto i governi di tutto il mondo hanno come obiettivo la sostenibilità, mentre l’industria automobilistica prevede di investire oltre 330 miliardi di dollari entro il 2025 per sviluppare l’elettrificazione dei veicoli. Ma cosa succede quando migliaia di veicoli elettrici di una comunità si collegano contemporaneamente sollecitando la rete elettrica in un modo senza precedenti? Scoprite come TI rende possibile realizzare caricabatterie veloci ed efficienti per i veicoli elettrici. La ricarica dei…

Migliorare l’affidabilità e le prestazioni del sistema attraverso le dimensioni e il posizionamento dei sensori

Autore: William Cooper, Marketing and Applications Director, Temperature and Humidity Sensors TI Spesso la riduzione delle dimensioni dei circuiti integrati (IC) è considerata come un semplice percorso che conduce verso circuiti stampati (PCB) più compatti o verso la possibilità di aggiungere funzionalità senza aumentare il fattore di forma di un sistema. Inoltre, mentre i sistemi che vanno dall’elettronica indossabile alle telecamere automobilistiche continuano a spingersi oltre i limiti dei fattori di forma fisica, l’integrazione della catena del segnale di rilevamento di temperatura e la riduzione delle dimensioni dei sensori di…

L’amplificatore buffer di TI aumenta di dieci volte la larghezza di banda del segnale nei sistemi di acquisizione dati

Gli ingegneri addetti a test e misurazione possono risparmiare mesi di tempo per la progettazione eliminando la necessità di ASIC personalizzati e semplificando i progetti front-end Texas Instruments (TI) ha presentato oggi l’amplificatore buffer ad alta impedenza di ingresso (Hi-Z) con la più ampia larghezza di banda del settore, in grado di supportare elevate larghezze di banda di frequenza fino a 3 GHz. La larghezza di banda più ampia e gli elevati slew rate del BUF802 permettono un maggiore throughput del segnale e di ridurre al minimo il tempo di…

TI migliora la tecnologia di assistenza alla guida per un monitoraggio più preciso dei punti ciechi e per una guida più sicura e efficiente in curva e agli incroci

Nel tentativo di sviluppare ulteriormente la guida autonoma e la sicurezza dei veicoli, Texas Instruments (TI) (Nasdaq: TXN) ha annunciato oggi un’espansione della sua gamma automotive che può aiutare le case automobilistiche a migliorare il rilevamento degli oggetti da parte dei sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS). Il nuovo sensore radar AWR2944 di TI si aggiunge all’ampia gamma dell’azienda composta da prodotti e tecnologie di elaborazione analogici e integrati, fornendo agli ingegneri automotive più strumenti a sostegno dell’innovazione dei veicoli. Grazie all’aumentata capacità di rilevamento rapido degli oggetti, al…

Implementazione di interconnessioni PCIe native su canali via cavo per uso automobilistico

Autori: Michael Lu, Systems and Applications Engineer, Texas Instruments Stefan Gianordoli, Global Head Strategic Product Management Data Cables, GG Group Tobias Kupka, Team Leader Application Engineering Wires Automotive, GG Group La tecnologia PCIe® (Peripheral Component Interconnect Express) continua ad aumentare la sua popolarità nell’industria automobilistica come soluzione per rispondere alle esigenze critiche di elaborazione a larghezza di banda elevata e latenza estremamente bassa delle architetture automotive distribuite di nuova generazione, ma le sfide per una sua adozione diffusa rimangono. Affinché i processori nel settore automotive possano sfruttare appieno questo standard…

Cosa manca nella scheda tecnica dei MOSFET di potenza, 2ª parte: correnti di dispersione dipendenti dalla tensione

di John Wallace –Applications Engineer at Texas Instruments Altri componenti trattati nel post: CSD15380F3 Nella 1ª parte di questa serie, sono state esaminate le schede tecniche dei transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo (MOSFET) di potenza spiegando ciò che contiene una scheda tecnica e, cosa più importante, ciò che manca, in particolare la dipendenza dalla temperatura di alcuni parametri chiave dei MOSFET. La 2ª parte si concentrerà sulle correnti di dispersione dipendenti dalla tensione: la dispersione da drain a source (IDSS) e la dispersione da gate a source (IGSS). Perché le…

Texas Instruments avvierà la costruzione di nuovi impianti produttivi per wafer a semiconduttore da 300 mm l’anno prossimo

L’investimento in capacità produttiva a lungo termine aumenterà ulteriormente i vantaggi in termini di costo dell’azienda e fornirà maggiore controllo sulla catena di fornitura Texas Instruments Incorporated (TI) (Nasdaq: TXN) ha annunciato oggi l’intenzione di avviare l’anno prossimo la costruzione dei suoi nuovi impianti per la fabbricazione di wafer a semiconduttore da 300 millimetri (di seguito «fab») a Sherman in Texas. Il sito nel Texas settentrionale ha il potenziale per ospitare un massimo di quattro fab per soddisfare la domanda con il passare del tempo, in quanto in futuro si…

Il sensore di posizione 3D ad effetto Hall più accurato del settore offre velocità e precisione per un più rapido controllo in tempo reale

Texas Instruments (TI)  ha presentato il sensore di posizione 3D ad effetto Hall più preciso del settore. Con il TMAG5170, i tecnici possono ottenere un’altissima precisione non calibrata a velocità fino a 20 kSPS per un controllo più veloce e accurato, in tempo reale, nell’automazione industriale e nelle applicazioni di azionamento motore. Il sensore fornisce anche funzioni e diagnostica integrate per massimizzare la flessibilità di progettazione e la sicurezza del sistema, utilizzando almeno il 70% di energia in meno rispetto a dispositivi paragonabili. Il TMAG5170 è il primo dispositivo di…

Cosa manca nella scheda tecnica dei MOSFET di potenza, 1ª parte: la dipendenza dalla temperatura

Di John Wallace –Applications Engineer at Texas Instruments Altri componenti trattati nel post: CSD17576Q5B, CSD19532Q5B Le schede tecniche dei transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo (MOSFET) di potenza forniscono informazioni utili come specifiche chiave, valori nominali e caratteristiche che aiutano a capire se il dispositivo funzionerà come previsto. Tuttavia, potrebbero esserci dubbi sulle variazioni di un parametro: pertanto, questo articolo punta a spiegare non soltanto cosa si trova in una scheda tecnica, ma soprattutto cosa manca. Una recensione di una scheda tecnica MOSFET Prendiamo come esempio la scheda tecnica del…

I 5 modi in cui le MCU ad alte prestazioni stanno rivoluzionando il settore

Di VC KumarMarketing Manager, Sitara™ MCU, Texas Instruments I progressi nelle fabbriche automatizzate e nei veicoli intelligenti richiedono funzionalità di rete avanzate, elaborazione in tempo reale, analisi «all’edge» e topologie di controllo motore più avanzate. Questi esempi dimostrano la rapida crescita della richiesta di un microcontroller (MCU) ad alte prestazioni in grado di andare oltre le MCU tradizionali e di fornire funzionalità simili a quelle dei processori. In questo articolo verranno trattati cinque modi in cui le MCU Sitara AM2x ad alte prestazioni aiutano i progettisti ad affrontare le sfide di…