Come scegliere i dispositivi GaN o SiC per la commutazione ad alta tensione

a cura di Udo Blaga – Senior Technology Application Engineer Power, Avnet Silica. Ogni ingegnere vorrebbe potere disporre di uno switch perfetto in grado di commutare istantaneamente tra gli stati On e Off e che sia immune da perdite. Per avere minori perdite possibili quando si passa da uno stato all’altro, è necessario che lo switch abbia una serie di caratteristiche. Deve avere una tensione di breakdown infinita, non consentire alcun flusso di corrente quando è interdetto, non presentare una differenza di tensione quando è polarizzato e non impiegare tempo…

Il libro AspenCore focalizza il ruolo fondamentale del GaN nella nuova era della potenza

Il Silicio sta raggiungendo i suoi limiti teorici di prestazioni per l’elettronica. Nel frattempo l’industria si sta spostando verso materiali a banda larga, come il Nitruro di Gallio. Perché WBG e perché GaN in particolare? Il nuovo libro di AspenCore Media, la “Guida AspenCore al Nitruro di Gallio: una nuova era per l’elettronica di potenza“, risponde a questa e altre domande. I dispositivi semiconduttori di potenza WBG in carburo di silicio e tecnologia GaN offrono vantaggi di progettazione che consentono prestazioni applicative precedentemente inimmaginabili: bassa corrente di dispersione, perdite di…

I prodotti Power di ON Semiconductor per l’industra e l’automotive in mostra a PCIM Europe

Ultime innovazioni della tecnologia Wide Band Gap, Intelligent Power Modules, oltre a strumenti e risorse per facilitare l’adozione dei nuovi prodotti in mostra a PCIM Europe. Tecnologie e dispositivi Wide Band Gap (WBG) sono stati i protagonisti quest’anno allo stand di ON Semiconductor a PCIM Europe, la principale manifestazione europea dedicata all’elettronica di potenza, presso il centro fieristico di Norimberga. La tecnologia WBG offre vantaggi applicativi unici per l’industria elettronica in più settore di mercato, dai circuiti di alimentazione ai prodotti wireless. ON Semiconductor è in prima linea nella realizzazione di…