Toshiba lancia il dispositivo IGBT da 1350 V migliorato per applicazioni negli elettrodomestici

Il dispositivo offre flessibilità di progetto e riduzione delle perdite nelle applicazioni con alimentazione a risonanza.

Toshiba Electronics Europe ha lanciato un nuovo transistor bipolare con gate isolato (IGBT) discreto da 1350 V per l’uso in applicazioni negli elettrodomestici con alimentazione a risonanza che sfruttano il riscaldamento a induzione, inclusi i fornelli da tavolo, i cuoci-riso e i forni a microonde.

Il nuovo IGBT GT20N135SRA presenta una tensione di saturazione al collettore-emettitore (VCE (sat)) di 1,60 V (tipica) e una tensione diretta del diodo (VF) di 1,75 V, che rappresentano rispettivamente una riduzione del 10% e del 21% rispetto ai prodotti convenzionali. Poiché sia l’IGBT che il diodo presentano caratteristiche migliorate di perdita di conduzione ad alta temperatura (TC=100℃), il dispositivo assicurerà un funzionamento più efficiente.

Inoltre, un valore migliore di resistenza termica massima tra giunzione e case (Rth(j-c)) pari a 0,48 ℃/W consente di semplificare la progettazione termica, con un numero inferiore di dissipatori di calore, ridotti di circa il 26% rispetto ai prodotti esistenti.

Il nuovo GT20N135SRA è in grado di sopprimere la corrente di corto circuito attraverso un condensatore di risonanza che viene generato all’avvio del dispositivo. La corrente di cortocircuito di picco del nuovo prodotto è pari a 129 A, inferiore di quasi un terzo rispetto ai prodotti esistenti. L’area operativa di sicurezza (SOA) è ampliata, il che significa che l’IGBT ha meno probabilità di guasto, fornendo così maggiore flessibilità ai progettisti.

Alloggiato in un package TO-247 standard, il dispositivo supporta una corrente massima di collettore (IC) di 40 A, che si riduce per deriva termica a 20 A a 100 ℃.

Le consegne del nuovo IGBT hanno già avuto inizio. Maggiori informazioni sulla linea di prodotti IGBT di Toshiba sono disponibili al seguente link.

 

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